Aratas G3DZ Leiterplattenmontage Halbleiterausgang, 1-poliger Schließer - Schließer 264 V ac 12V dc / 600 mA

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RS Best.-Nr.:
365-0636
Herst. Teile-Nr.:
G3DZ-2R6PL DC12
Marke:
Aratas
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Marke

Aratas

Laststrom max

600mA

Produkt Typ

Halbleiterausgang

Montageart

Leiterplattenmontage

Lastspannung max

264V ac

Lastspannung min

3V

Steuerspannung max

12V dc

Steuerspannung min

3V

Serie

G3DZ

Anschlusstyp

Leiterplatten-Anschlussklemme

Kontakt Konfiguration

1-poliger Schließer - Schließer

Betriebstemperatur min.

30°C

Widerstand im eingeschalteten Zustand

2.4Ω

Schaltfunktion

Kein Nulldurchgang

Maximale Betriebstemperatur

85°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

19.7mm

Höhe

18.5mm

Breite

6.9mm

Leckstrom im "Aus"-Zustand

10μA

Ausgangstyp

Fotodiode


Halbleiter-Leistungsrelais Omron G3DZ-2R6PL-DC12 MOSFET für Leiterplattenmontage.


Das Halbleiterrelais G3DZ hat die gleiche Größe wie das G6D mit max. 0,6 A ac/dc Strom.;• Schalten: 0,6 A bei 240 V ac oder 100 V dc

• 10 μA maximaler Leckstrom (zwischen geöffneten Klemmen).

• Mit einem Eingangswiderstand

• Überspannungs-Aufnahmestromkreis (nur AC/DC-Modelle).

• Voll- und Halbwellengleichrichtung. Wechselstrom umschaltbar.

• Leiterplattenmontage

• MOSFET

• Mit Eingangswiderstand.

• Standardmodelle erhältlich mit UL- und CSA-Zulassung.

• RoHS-konform.


Eigenschaften und Vorteile des MOSFET-Halbleiterrelais für Leiterplattenmontage.


• Isolations-Foto-Spannungskoppler.

• Keine Nulldurchgangsfunktion.

• Keine Anzeigen.

• Nennausgangslast 0,6 A, 5 bis 240 V ac, 5 bis 100 V dc.

• Nenneingangsspannung: 12 V dc

• Betriebsspannung: 9,6 bis 14,4 V dc

• Abfallspannung: 1 V dc min.

• Impedanz: 2 kΩ +20 %.

• Abfallspannung: 1 V dc.

• Anzugsspannung: 9,6 V dc max.

• Nennlastspannung: 5 bis 240 V ac, 5 bis 100 V dc.

• Lastspannungsbereich: 3 bis 264 V ac, 3 bis 125 V dc.

• Laststrom AC = 100 μ bis 0,6 A, DC = 10 μA bis 0,6 A.

• Einschaltstrom: 6 A (10 ms).


Zusatzmerkmale des Halbleiterrelais G3DZ-2R6PL-DC12 MOSFET für Leiterplattenmontage.


• Reaktionszeit: 6 ms max.

• Freigabezeit: 10 ms max.

• Ausgangswiderstand im eingeschalteten Zustand: 2,4 Ω max.

• Leckstrom im abgeschalteten Zustand: 10 μA max. (125 V dc), 100 μA max. (200 V ac).

• Vibrationsfestigkeit: 10 bis 55 bis 10 Hz, 0,75 mm eine Amplitude (1,5 mm zwei Amplituden).

• Stoßfestigkeit: 1000 m/s².

• Gewicht: ca. 3,1 g


Sicherheitshinweise.


• Die Leiterplatte nicht reinigen oder löten, wenn sich das Halbleiterrelais im Sockel befindet.

• Umgekehrte Überspannung – Wenn diese an den Eingangsklemmen anliegt, muss eine Diode parallel zur Eingangsklemme eingesetzt werden. KEINE umgekehrte Spannung von mehr als 3 V anlegen.

• Der Klemmenwerkstoff hat eine hohe Wärmeinduktion so dass jedes automatische oder manuelle Löten innerhalb von 10 Sekunden bei 260 °C durchgeführt werden sollte.

• Beim Einbau eines Sockels ist sicherzustellen, dass er richtig passt, und er muss durch senkrechtes Drücken (gerade nach unten) eingesetzt werden.


Geeigneter Isolierungssockel.


• Teilenummer P6D-04P. Best.-Nr. 376717.

Halbleiterrelais G3DZ


Diese MOSFET-Leistungsrelais für Leiterplattenmontage bieten einen maximalen Schaltstrom von 0,6 A und eignen sich für das Schalten von Halbwellen- und Vollwellen-Wechselströmen.

Halbleiterrelais in der Größe identisch mit Serie G6D (Best.-Nr. 512-9320 usw.) mit einem maximalen ac/dc-Schaltstrom von 0,6 A

Schalten von Voll- und Halbwellenströmen

Max. Leckstrom: 10 μA

Ausgangswiderstand bei ON: 2.4 Ω

2.500 Vac Durchschlagsfestigkeit zwischen Ein- und Ausgangsklemmen

Eingangswiderstand und Varistor integriert

Einphasen-Anschlussleitung zu Nullleiter

Siehe Best.-Nr. 376-717 für eine geeignete Leiterplattenbuchse

Betriebstemperaturbereich: -30 bis +85 °C

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