Omron G3 Leiterplattenmontage Halbleiterausgang, SPNO 264 V ac 5V dc / 90 A

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RS Best.-Nr.:
365-0620
Herst. Teile-Nr.:
G3DZ-2R6PL DC5
Marke:
Omron
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Marke

Omron

Laststrom max

90A

Produkt Typ

Halbleiterausgang

Montageart

Leiterplattenmontage

Lastspannung max

264V ac

Lastspannung min

20V dc

Steuerspannung max

5V dc

Steuerspannung min

0V dc

Serie

G3

Kontakt Konfiguration

SPNO

Schaltfunktion

Signalumschaltung

Betriebstemperatur min.

-30°C

Widerstand im eingeschalteten Zustand

2.4Ω

Maximale Betriebstemperatur

100°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

17.5mm

Höhe

12.5mm

Breite

6.5 mm

Leckstrom im "Aus"-Zustand

10μA


Halbleiter-Leistungsrelais Omron G3DZ-2R6PL-DC5 MOSFET für Leiterplattenmontage.


Das Halbleiterrelais G3DZ hat die gleiche Größe wie das G6D mit max. 0,6 A ac/dc Strom.;• Schalten: 0,6 A bei 240 V ac oder 100 V dc

• 10 μA maximaler Leckstrom (zwischen geöffneten Klemmen).

• Mit einem Eingangswiderstand

• Überspannungs-Aufnahmestromkreis (nur AC/DC-Modelle).

• Voll- und Halbwellengleichrichtung. Wechselstrom umschaltbar.

• Leiterplattenmontage

• MOSFET

• Mit Eingangswiderstand.

• Standardmodelle erhältlich mit UL- und CSA-Zulassung.

• RoHS-konform.


Eigenschaften und Vorteile des MOSFET-Halbleiterrelais für Leiterplattenmontage.


• Isolierungsoptokoppler.

• Keine Nulldurchgangsfunktion.

• Keine Anzeigen.

• Nennausgangslast 0,6 A, 5 bis 240 V ac, 5 bis 100 V dc.

• Nenneingangsspannung: 5 V dc

• Betriebsspannung: 4 bis 6 V dc

• Abfallspannung: 1 V dc min.

• Impedanz: 830 Ω +20 %

• Anzugsspannung: 4 V dc max.

• Nennlastspannung: 5 bis 240 V ac, 5 bis 100 V dc.

• Lastspannungsbereich: 3 bis 264 V ac, 3 bis 125 V dc.

• Laststrom AC = 100 μ bis 0,6 A, DC = 10 μ bis 0,6 A.

• Einschaltstrom: 6 A (10 ms).


Zusatzmerkmale des Halbleiterrelais G3DZ-2R6PL-DC5 MOSFET für Leiterplattenmontage.


• Reaktionszeit: 6 ms max.

• Freigabezeit: 10 ms max.

• Ausgangswiderstand im eingeschalteten Zustand: 2,4 Ω max.

• Leckstrom im abgeschalteten Zustand: 10 μ max. (125 V dc), 100 μ max. (200 V ac).

• Vibrationsfestigkeit: 10 bis 55 bis 10 Hz, 0,75 mm eine Amplitude (1,5 mm zwei Amplituden).

• Stoßfestigkeit: 1000 m/s².

• Gewicht: ca. 3,1 g


Sicherheitshinweise.


• Die Leiterplatte nicht reinigen oder löten, wenn sich das Halbleiterrelais im Sockel befindet.

• Umgekehrte Überspannung – Wenn diese an den Eingangsklemmen anliegt, muss eine Diode parallel zur Eingangsklemme eingesetzt werden. KEINE umgekehrte Spannung von mehr als 3 V anlegen.

• Der Klemmenwerkstoff hat eine hohe Wärmeinduktion, so dass jedes automatische oder manuelle Löten innerhalb von 10 Sekunden bei 260 °C durchgeführt werden sollte.

• Beim Einbau eines Sockels ist sicherzustellen, dass er richtig passt, und er muss durch senkrechtes Drücken (gerade nach unten) eingesetzt werden.


Geeigneter Isolierungssockel.


• Teilenummer P6D-04P. Best.-Nr. 376717.

Halbleiterrelais G3DZ


Diese MOSFET-Leistungsrelais für Leiterplattenmontage bieten einen maximalen Schaltstrom von 0,6 A und eignen sich für das Schalten von Halbwellen- und Vollwellen-Wechselströmen.

Halbleiterrelais in der Größe identisch mit Serie G6D (Best.-Nr. 512-9320 usw.) mit einem maximalen ac/dc-Schaltstrom von 0,6 A

Schalten von Voll- und Halbwellenströmen

Max. Leckstrom: 10 μA

Ausgangswiderstand bei ON: 2.4 Ω

2.500 Vac Durchschlagsfestigkeit zwischen Ein- und Ausgangsklemmen

Eingangswiderstand und Varistor integriert

Einphasen-Anschlussleitung zu Nullleiter

Siehe Best.-Nr. 376-717 für eine geeignete Leiterplattenbuchse

Betriebstemperaturbereich: -30 bis +85 °C

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