Omron G3VM Halbleiterausgang, SPST 60 V ac 1.3V / 0.5 A
- RS Best.-Nr.:
- 480-1166
- Herst. Teile-Nr.:
- G3VM-61B1
- Marke:
- Omron
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- RS Best.-Nr.:
- 480-1166
- Herst. Teile-Nr.:
- G3VM-61B1
- Marke:
- Omron
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Omron | |
| Laststrom max | 0.5A | |
| Produkt Typ | Halbleiterausgang | |
| Lastspannung max | 60V ac | |
| Lastspannung min | 0V ac | |
| Steuerspannung max | 1.3V | |
| Serie | G3VM | |
| Anschlusstyp | Leiterplatten-Anschlussklemme | |
| Kontakt Konfiguration | SPST | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 85°C | |
| Länge | 7.1mm | |
| Höhe | 3.7mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Leckstrom im "Aus"-Zustand | 50mA | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Omron | ||
Laststrom max 0.5A | ||
Produkt Typ Halbleiterausgang | ||
Lastspannung max 60V ac | ||
Lastspannung min 0V ac | ||
Steuerspannung max 1.3V | ||
Serie G3VM | ||
Anschlusstyp Leiterplatten-Anschlussklemme | ||
Kontakt Konfiguration SPST | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 85°C | ||
Länge 7.1mm | ||
Höhe 3.7mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Leckstrom im "Aus"-Zustand 50mA | ||
Universal-MOSFET-Halbleiterrelais G3VM-61B1.
Das MOSFET-Relais G3VM-61B1 ist Teil der aktualisierten G3VM-61B/E-Serie und bietet eine Fülle von Vorteilen, die von wartungsfreien Relais erwartet werden. DIP(Dual in-Line)-Relais als 1-poliger Schließer, mit 6 Anschlussstiften. Dieses Serienrelais dient zum Schalten von Minuten- und Analogsignalen.
Merkmale und Vorteile des Halbleiterrelais G3VM-61B1
• MOSFET-Halbleiterrelais.
• SMD-Relais-Anschlussklemmen.
• DIP6 (Dual In-Line)
• Kontaktform: 1-poliger Schließer 1a. • 1-poliger Öffner 1b
• 6 Relais-Anschlussklemmen.
• Lastspannung: 60 V.
• Laststrom: 500 mA max.
• Maximaler Widerstand bei Ausgang EIN: 1 Ω.
• Leckstrom bei Relais offen: 1000 nA max.
• Kapazität zwischen den Klemmen: 130 pF.
• SSR-Einschaltzeit: 2 ms max.
• SSR-Abschaltzeit: 0,5 ms max.
• Durchschlagsfestigkeit zwischen E/A: 2500 V eff.
• Schalten von analogen Signalen
• RoHS-konform.
Zusätzliche Merkmale des Universal-Halbleiterrelais G3VM-61B1
• Lange Betriebslebensdauer.
• Geringer Leckstrom.
• SSR verfügt über eine ausgezeichnete Stoßfestigkeit.
• Hohe Isolierung.
• Geräuscharmer Betrieb.
• Hochgeschwindigkeitsschalten.
• Steuerung des Mikro-Analog-Signals.
• Foto-LED-Eingang.
• Statusausgang.
• Kompakt
• Betriebstemperaturbereich: -20°C bis +65°C, keine Vereisung oder Kondensation.
Andere Anwendungsbeispiele.
• Werkzeugmaschinen.
• Individuelle Stromversorgung.
• Fabrikautomation.
• Sicherheitsgeräte.
• Unterhaltungssysteme.
MOSFET-Halbleiterrelais G3VM
Halbleiterrelais mit MOSFET-Ausgang und Foto-LED-Eingang
Kombiniert die Vorteile von mechanischer und Festkörpertechnologie
Geringer Widerstand und geringe Ausgangskapazität
Lange Lebensdauer
Viele Modelle verfügbar
Ideal für Telekommunikations-Lösungen geeignet, einschließlich Leitungsbelegungen, Schaltungen, Gabelumschaltungen, Steuerung von Leitungstransformatoren und anderer Telefonfunktionen
