Omron G3VM Oberfläche Halbleiterausgang, SPST 60 V ac 1.3V / 0.5 A

RS Best.-Nr.:: 480-1217
Distrelec-Artikelnummer:: 171-40-023
Herst. Teile-Nr.:: G3VM-61D1
Marke:: Omron

Omron G3VM Oberfläche Halbleiterausgang, SPST 60 V ac 1.3V / 0.5 A

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Distrelec-Artikelnummer:: 171-40-023
Herst. Teile-Nr.:: G3VM-61D1
Marke:: Omron

Technische Daten

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Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Omron
	Produkt Typ	Halbleiterausgang
	Laststrom max	0.5A
	Montageart	Oberfläche
	Lastspannung max	60V ac
	Lastspannung min	0V ac
	Steuerspannung max	1.3V
	Serie	G3VM
	Anschlusstyp	Leiterplatten-Anschlussklemme
	Kontakt Konfiguration	SPST
	Betriebstemperatur min.	-40°C
	Schaltfunktion	DC-Schaltung
	Maximale Betriebstemperatur	85°C
	Normen/Zulassungen	RoHS, EN, UL
	Breite	6.4 mm
	Höhe	3.7mm
	Länge	4.6mm
	Leckstrom im "Aus"-Zustand	50mA
	Kapazität	130pF
	Ausgangstyp	MOSFET

	Alle auswählen
	Marke Omron
	Produkt Typ Halbleiterausgang
	Laststrom max 0.5A
	Montageart Oberfläche
	Lastspannung max 60V ac
	Lastspannung min 0V ac
	Steuerspannung max 1.3V
	Serie G3VM
	Anschlusstyp Leiterplatten-Anschlussklemme
	Kontakt Konfiguration SPST
	Betriebstemperatur min. -40°C
	Schaltfunktion DC-Schaltung
	Maximale Betriebstemperatur 85°C
	Normen/Zulassungen RoHS, EN, UL
	Breite 6.4 mm
	Höhe 3.7mm
	Länge 4.6mm
	Leckstrom im "Aus"-Zustand 50mA
	Kapazität 130pF
	Ausgangstyp MOSFET

Ursprungsland:: JP

Universal-MOSFET-Halbleiterrelais G3VM-61D1.

Das MOSFET-Relais G3VM-61D1 ist Bestandteil der weiterentwickelten G3VM-61A/D-Serie und bietet eine Fülle von Vorteilen, die von wartungsfreien Relais erwartet werden. DIP(Dual in-Line)-Relais als 1-poliger Schließer, mit 4 Anschlussstiften. Das Relais dieser Serie dient zum Schalten von analogen Kleinsignalen.

Merkmale und Vorteile des Halbleiterrelais G3VM-61D1

• MOSFET-Halbleiterrelais.

• SMD-Relais-Anschlussklemmen.

• DIP4 (Dual In-Line).

• SMD

• Kontaktform: 1-poliger Schließer 1a.

• 4 Relais-Anschlussklemmen.

• Lastspannung: 60 V.

• Laststrom: 500 mA max.

• Maximaler Widerstand bei Ausgang EIN: 1 Ω.

• Leckstrom bei Relais offen: 1000 nA max.

• Kapazität zwischen den Klemmen: 130 pF.

• SSR-Einschaltzeit: 2 ms max.

• SSR-Abschaltzeit: 0,5 ms max.

• Durchschlagsfestigkeit zwischen E/A: 2500 V eff.

• Schalten von analogen Signalen

• Hohe E/A-Isolierung

• RoHS-konform.

Zusätzliche Merkmale des Standard-Halbleiterrelais G3VM-61D1.

• Lange Betriebslebensdauer.

• Geringer Leckstrom.

• SSR verfügt über eine ausgezeichnete Stoßfestigkeit.

• Hohe Isolierung.

• Geräuscharmer Betrieb.

• Hochgeschwindigkeitsschalten.

• Steuerung des Mikro-Analog-Signals.

• Foto-LED-Eingang.

• Statusausgang.

• Kompakt

• Betriebstemperaturbereich: -20°C bis +65°C, keine Vereisung oder Kondensation.

• Löttemperatur 260 °C.

Andere Anwendungsbeispiele.

• Werkzeugmaschinen.

• Individuelle Stromversorgung.

• Fabrikautomation.

• Sicherheitsgeräte.

• Unterhaltungssysteme.

MOSFET-Halbleiterrelais G3VM

Halbleiterrelais mit MOSFET-Ausgang und Foto-LED-Eingang

Kombiniert die Vorteile von mechanischer und Festkörpertechnologie

Geringer Widerstand und geringe Ausgangskapazität

Lange Lebensdauer

Viele Modelle verfügbar

Ideal für Telekommunikations-Lösungen geeignet, einschließlich Leitungsbelegungen, Schaltungen, Gabelumschaltungen, Steuerung von Leitungstransformatoren und anderer Telefonfunktionen