Infineon HF-Schalter TSNP-9-3 9-Pin 1.1 x 1.1 x 0.37mm SMD
- RS Best.-Nr.:
- 175-1419
- Herst. Teile-Nr.:
- BGS13S4N9E6327XTSA1
- Marke:
- Infineon
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
- RS Best.-Nr.:
- 175-1419
- Herst. Teile-Nr.:
- BGS13S4N9E6327XTSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Technologie | CMOS | |
| Gehäusegröße | TSNP-9-3 | |
| Pinanzahl | 9 | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Abmessungen | 1.1 x 1.1 x 0.37mm | |
| Länge | 1.1mm | |
| Breite | 1.1mm | |
| Höhe | 0.37mm | |
| Arbeitsspannnung max. | 3,3 V | |
| Betriebstemperatur max. | +85 °C | |
| Arbeitsspannnung min. | 1,8 V | |
| Betriebstemperatur min. | –40 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Technologie CMOS | ||
Gehäusegröße TSNP-9-3 | ||
Pinanzahl 9 | ||
Montage-Typ SMD | ||
Abmessungen 1.1 x 1.1 x 0.37mm | ||
Länge 1.1mm | ||
Breite 1.1mm | ||
Höhe 0.37mm | ||
Arbeitsspannnung max. 3,3 V | ||
Betriebstemperatur max. +85 °C | ||
Arbeitsspannnung min. 1,8 V | ||
Betriebstemperatur min. –40 °C | ||
- Ursprungsland:
- MY
Der BGS13S4N9 RF-MOS-Schalter wurde speziell für den Einsatz in Mobiltelefonen und mobilen Anwendungen entwickelt. Die drei Anschlüsse können als Anschluss der Diversity-Antennen zur Handhabung von bis zu 30 dBm verwendet werden. Dieser SP3T bietet eine hervorragende ESD-Robustheit von 1kV, geringe Einfügedämpfung und hohe Robustheit gegenüber Störsignalen am Antennenanschluss und geringe Oberschwingungserzeugung im Anschlussmodus.
3 hochlineare TRx-Pfade mit einer Belastbarkeit von bis zu 30 dBm
Kleiner Formfaktor: 1,1 x 1,1 x 0,375 mm
Niedrige Einfügedämpfung @ 2,7 GHz 0,55 dB
Niedrige Oberschwingungserzeugung
Hohe Port-zu-Port-Isolierung
0,1 bis 3,0 GHz Abdeckung
Steuerungslogik auf dem Chip inklusive ESD-Schutz
GPIO-Steuerschnittstelle
Kein Netzteil erforderlich.
Hohe Störfestigkeit gegen elektromagnetische Störungen
Kleiner Formfaktor: 1,1 x 1,1 x 0,375 mm
Niedrige Einfügedämpfung @ 2,7 GHz 0,55 dB
Niedrige Oberschwingungserzeugung
Hohe Port-zu-Port-Isolierung
0,1 bis 3,0 GHz Abdeckung
Steuerungslogik auf dem Chip inklusive ESD-Schutz
GPIO-Steuerschnittstelle
Kein Netzteil erforderlich.
Hohe Störfestigkeit gegen elektromagnetische Störungen
