Fuji Electric IGBT-Modul / 75 A, 1200 V 500 W, 22-Pin P 610 N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 716-5612
- Herst. Teile-Nr.:
- 7MBP75RA-120-55
- Marke:
- Fuji Electric
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
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- 716-5612
- Herst. Teile-Nr.:
- 7MBP75RA-120-55
- Marke:
- Fuji Electric
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Fuji Electric | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 75 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 1200 V | |
| Verlustleistung max. | 500 W | |
| Konfiguration | 3-phasig | |
| Gehäusegröße | P 610 | |
| Montage-Typ | PCB-Montage | |
| Channel-Typ | N | |
| Pinanzahl | 22 | |
| Transistor-Konfiguration | 3-phasig | |
| Abmessungen | 109 x 88 x 22mm | |
| Betriebstemperatur max. | +100° C | |
| Betriebstemperatur min. | -20 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Fuji Electric | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 75 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 1200 V | ||
Verlustleistung max. 500 W | ||
Konfiguration 3-phasig | ||
Gehäusegröße P 610 | ||
Montage-Typ PCB-Montage | ||
Channel-Typ N | ||
Pinanzahl 22 | ||
Transistor-Konfiguration 3-phasig | ||
Abmessungen 109 x 88 x 22mm | ||
Betriebstemperatur max. +100° C | ||
Betriebstemperatur min. -20 °C | ||
IGBT, diskret, Fuji Electric
IGBT, diskrete Bauteile und Module, Fuji Electric
Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.