STMicroelectronics IGBT / 14 A, 1200 V 75 W, 3-Pin TO-263 Typ N-Kanal Oberfläche
- RS Best.-Nr.:
- 151-939
- Herst. Teile-Nr.:
- STGB3NC120HDT4
- Marke:
- STMicroelectronics
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- STGB3NC120HDT4
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 14A | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 1200V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 75W | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Schaltgeschwindigkeit | 15ns | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 2.8V | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 1mm | |
| Länge | 16mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 14A | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 1200V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 75W | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Schaltgeschwindigkeit 15ns | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 2.8V | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 1mm | ||
Länge 16mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der IGBT von STMicroelectronics bietet einen ausgezeichneten Ausgleich zwischen niedrigen Leitungsverlusten und schneller Schaltleistung. Sie wurde in der Power MESH-Technologie in Kombination mit einer Hochspannungs-Ultraschnelldiode entwickelt.
Hohe Spannungsfähigkeit
Hohe Geschwindigkeit
Sehr weiche, ultraschnelle Erholungsdiode mit Anti-Paralleldiode
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