STMicroelectronics IGBT / 14 A ±20V max. , 1200 V 75 W, 3-Pin D²PAK N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 151-940
- Herst. Teile-Nr.:
- STGB3NC120HDT4
- Marke:
- STMicroelectronics
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- 151-940
- Herst. Teile-Nr.:
- STGB3NC120HDT4
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 14 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 1200 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V | |
| Anzahl an Transistoren | 1 | |
| Verlustleistung max. | 75 W | |
| Gehäusegröße | D²PAK | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Channel-Typ | N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 14 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 1200 V | ||
Gate-Source Spannung max. ±20V | ||
Anzahl an Transistoren 1 | ||
Verlustleistung max. 75 W | ||
Gehäusegröße D²PAK | ||
Montage-Typ SMD | ||
Channel-Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der IGBT von STMicroelectronics bietet einen hervorragenden Kompromiss zwischen niedrigen Leitungsverlusten und schnellem Schaltverhalten. Es wurde in Power-MESH-Technologie in Kombination mit einer ultraschnellen Hochspannungsdiode entwickelt.
Hohe Spannungsfestigkeit
Hohe Geschwindigkeit
Sehr sanfte, ultraschnelle Erholung Antiparallel-Diode
Hohe Geschwindigkeit
Sehr sanfte, ultraschnelle Erholung Antiparallel-Diode
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