STMicroelectronics IGBT / 14 A, 1200 V 75 W, 3-Pin TO-263 Typ N-Kanal Oberfläche

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151-940P
Herst. Teile-Nr.:
STGB3NC120HDT4
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

14A

Produkt Typ

IGBT

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

1200V

Maximale Verlustleistung Pd

75W

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Kabelkanaltyp

Typ N

Pinanzahl

3

Schaltgeschwindigkeit

15ns

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

2.8V

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1mm

Länge

16mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Der IGBT von STMicroelectronics bietet einen ausgezeichneten Ausgleich zwischen niedrigen Leitungsverlusten und schneller Schaltleistung. Sie wurde in der Power MESH-Technologie in Kombination mit einer Hochspannungs-Ultraschnelldiode entwickelt.

Hohe Spannungsfähigkeit

Hohe Geschwindigkeit

Sehr weiche, ultraschnelle Erholungsdiode mit Anti-Paralleldiode

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