IXYS IGBT / 75 A, 1200 V 380 W, 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- RS Best.-Nr.:
- 192-988
- Distrelec-Artikelnummer:
- 302-53-416
- Herst. Teile-Nr.:
- IXGH40N120B2D1
- Marke:
- IXYS
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stück)*
17,54 €
(ohne MwSt.)
20,87 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- 1 Einheit(en) versandfertig
- Zusätzlich 34 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
- Zusätzlich 50 Einheit(en) mit Versand ab 02. Juni 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 4 | 17,54 € |
| 5 - 19 | 15,10 € |
| 20 - 49 | 14,45 € |
| 50 - 99 | 12,59 € |
| 100 + | 12,29 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 192-988
- Distrelec-Artikelnummer:
- 302-53-416
- Herst. Teile-Nr.:
- IXGH40N120B2D1
- Marke:
- IXYS
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | IXYS | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 75A | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 1200V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 380W | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Schaltgeschwindigkeit | 140ns | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | ±20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 3.5V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 19.81mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Serie | Mid-Frequency | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke IXYS | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 75A | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 1200V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 380W | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Schaltgeschwindigkeit 140ns | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO ±20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 3.5V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 19.81mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Serie Mid-Frequency | ||
Automobilstandard Nein | ||
IGBTs, diskret, IXYS
IGBTs, diskret, und IGBT-Module, IXYS
Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.
Verwandte Links
- IXYS IGBT / 75 A 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- IXYS Hochgeschwindigkeits-IGBT / 66 A 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- IXYS IGBT / 100 A 3-Pin PLUS247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- IXYS IGBT / 100 A ±20V max. 4-Pin SOT-227B N-Kanal
- IXYS IGBT / 50 A 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- IXYS IGBT / 64 A 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- IXYS IGBT / 20 A 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- Starpower IGBT-Modul / 75 A 28-Pin Modul N-Kanal