IXYS IGBT / 64 A, 1200 V 480 W, 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage

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RS Best.-Nr.:
168-4781
Herst. Teile-Nr.:
IXYH40N120C3D1
Marke:
IXYS
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Marke

IXYS

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

64A

Produkt Typ

IGBT

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

1200V

Maximale Verlustleistung Pd

480W

Gehäusegröße

TO-247

Montageart

Durchsteckmontage

Kabelkanaltyp

Typ N

Pinanzahl

3

Schaltgeschwindigkeit

50kHz

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

±20 V

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

3.5V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Serie

Planar

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
US

IGBTs, diskret, Serie IXYS XPT


Die diskreten IGBTs der XPT™-Serie von IXYS zeichnen sich durch die Dünnwafer-Technologie Extreme-light Punch-Through aus, mit welcher der Wärmewiderstand und Energieverluste verringert werden können. Die Geräte sorgen für kurze Schaltzeiten bei geringem Tailstrom und sind in mehreren Gehäusen in proprietärer Ausführung erhältlich, die Industriestandards entsprechen.

Hohe Leistungsdichte und niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung

Quadratische, sichere Betriebsbereiche für Sperrvorspannung (RBSOA) bis zu ausgelegter Durchschlagsspannung

10 μs lange Kurzschlussauslösung

Positiver Temperaturkoeffizient der Durchlassspannung

Individuell verpackte (optional) Sonic-FRD™- oder HiPerFRED™-Dioden

Hochspannungsgehäuse in proprietärer Ausführung gemäß internationaler Normen

IGBTs, diskret, und IGBT-Module, IXYS


Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.

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