STMicroelectronics IGBT / 119 A Einfach, 650 V 576 W, 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage

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RS Best.-Nr.:
215-009
Herst. Teile-Nr.:
STGWA50M65DF2AG
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

119A

Produkt Typ

IGBT

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

650V

Maximale Verlustleistung Pd

576W

Anzahl an Transistoren

1

Konfiguration

Einfach

Gehäusegröße

TO-247

Montageart

Durchsteckmontage

Kabelkanaltyp

Typ N

Pinanzahl

3

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

±20 V

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

20.1mm

Breite

15.70 to 15.90 mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
CN
Das IGBT von STMicroelectronics wurde mit einer erweiterten proprietären Trenngatter-Fieldtop-Struktur entwickelt. Das Gerät ist Teil der IGBTs der Serie M, die eine optimale Balance zwischen Wechselrichtersystemleistung und Effizienz darstellen, wo der geringe Verlust und die Kurzschlussfunktionalität unerlässlich sind. Darüber hinaus führen der positive Temperaturkoeffizient VCE(sat) und die enge Parameterverteilung zu einem sicheren Parallelbetrieb.

Minimierter Schwanzstrom

Enge Parameterverteilung

Sicherere Parallelführung

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