Infineon IGBT / 82 A ±20V max. , 1200 V 115 W, 4-Pin PG-TO247-4-STD-NT3.7 N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 284-619
- Herst. Teile-Nr.:
- IKZA50N120CH7XKSA1
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 284-619
- Herst. Teile-Nr.:
- IKZA50N120CH7XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 82 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 1200 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V | |
| Verlustleistung max. | 115 W | |
| Anzahl an Transistoren | 1 | |
| Konfiguration | Einfach-Kollektor, Einfach-Emitter, Einfach-Gate | |
| Gehäusegröße | PG-TO247-4-STD-NT3.7 | |
| Montage-Typ | THT | |
| Channel-Typ | N | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 82 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 1200 V | ||
Gate-Source Spannung max. ±20V | ||
Verlustleistung max. 115 W | ||
Anzahl an Transistoren 1 | ||
Konfiguration Einfach-Kollektor, Einfach-Emitter, Einfach-Gate | ||
Gehäusegröße PG-TO247-4-STD-NT3.7 | ||
Montage-Typ THT | ||
Channel-Typ N | ||
Pinanzahl 4 | ||
Der Infineon IGBT verfügt über einen hart schaltenden 1200 V, 50 A TRENCHSTOP IGBT7 H7 in TO 247 4pin-Gehäusetechnologie. Er wurde entwickelt, um die Nachfrage in Anwendungen zu erfüllen, die sich auf die Dekarbonisierung konzentrieren, wie z.B. Solar-Photovoltaik, unterbrechungsfreie Stromversorgungen und Batterieladegeräte.
Optimierte Leistung unter Anwendungsbedingungen
Geringste Leitungsverluste
Geringste Schaltverluste
Robustheit gegenüber Feuchtigkeit in rauer Umgebung
Verbesserte EMI-Leistung
Schnelles Schaltverhalten mit geringer EMI-Emission
Geringste Leitungsverluste
Geringste Schaltverluste
Robustheit gegenüber Feuchtigkeit in rauer Umgebung
Verbesserte EMI-Leistung
Schnelles Schaltverhalten mit geringer EMI-Emission
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