Infineon IGBT / 75 A ±20V max. , 1200 V 549 W, 3-Pin PG-TO247-3-PLUS-N N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 284-672
- Herst. Teile-Nr.:
- IKQ75N120CH7XKSA1
- Marke:
- Infineon
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- 284-672
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- IKQ75N120CH7XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 75 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 1200 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V | |
| Verlustleistung max. | 549 W | |
| Anzahl an Transistoren | 1 | |
| Konfiguration | Einfach-Kollektor, Einfach-Emitter, Einfach-Gate | |
| Gehäusegröße | PG-TO247-3-PLUS-N | |
| Montage-Typ | THT | |
| Channel-Typ | N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 75 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 1200 V | ||
Gate-Source Spannung max. ±20V | ||
Verlustleistung max. 549 W | ||
Anzahl an Transistoren 1 | ||
Konfiguration Einfach-Kollektor, Einfach-Emitter, Einfach-Gate | ||
Gehäusegröße PG-TO247-3-PLUS-N | ||
Montage-Typ THT | ||
Channel-Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Der Infineon IGBT mit 1200-V-Hochgeschwindigkeits-Trench-Stop-IGBT-7-Technologie wurde entwickelt, um eine unvergleichliche Leistung in anspruchsvollen Anwendungen zu bieten. Er zeichnet sich durch ein hochmodernes Design aus, das eine effiziente Leistungsaufnahme mit geringen Schaltverlusten kombiniert und damit ideal für hocheffiziente Leistungswandler ist. Mit seinem robusten Co-Packing aus einer schnellen Diode mit vollem Nennstrom, die weich kommutiert, und einer optimierten thermischen Leistung ist dieser Baustein für Industrie- und Automobilanwendungen, einschließlich EV-Lade- und Schweißsysteme, geeignet. Mit einer maximalen Sperrschichttemperatur von 175°C gewährleistet dieses Produkt Zuverlässigkeit und Langlebigkeit, selbst unter extremen Bedingungen.
Optimiert für hohe Effizienz beim harten Schalten
Pb-freie Bleibeschichtung zur Einhaltung der Umweltvorschriften
Einfache Parallelschaltung mit positivem Temperaturkoeffizienten
Gut geeignet für industrielle Anwendungen wie USV und Wechselrichter
Umfassendes Produktspektrum mit Modellierungsunterstützung
Liefert niedrige Sättigungsspannung für Energieeinsparungen
Transiente Gate-Emitter-Spannungen verbessern die Schaltleistung
Pb-freie Bleibeschichtung zur Einhaltung der Umweltvorschriften
Einfache Parallelschaltung mit positivem Temperaturkoeffizienten
Gut geeignet für industrielle Anwendungen wie USV und Wechselrichter
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