Infineon IGBT / 75 A ±20V max. , 1200 V 549 W, 4-Pin PG-TO247-4-PLUS-NN5.1 N-Kanal

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
285-027
Herst. Teile-Nr.:
IKY75N120CH7XKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Dauer-Kollektorstrom max.

75 A

Kollektor-Emitter-Spannung

1200 V

Gate-Source Spannung max.

±20V

Anzahl an Transistoren

1

Verlustleistung max.

549 W

Konfiguration

Einfach-Kollektor, Einfach-Emitter, Einfach-Gate

Gehäusegröße

PG-TO247-4-PLUS-NN5.1

Montage-Typ

THT

Channel-Typ

N

Pinanzahl

4

Der Infineon IGBT verfügt über eine fortschrittliche 1200V TRENCHSTOP IGBT 7 Hochgeschwindigkeits-Technologie, die eine außergewöhnliche Leistung bietet und für einen hohen Wirkungsgrad in anspruchsvollen Anwendungen wie der industriellen USV, dem Laden von Elektrofahrzeugen und dem Schweißen optimiert ist. Dieses Bauteil, das für eine maximale Sperrschichttemperatur von 175 °C ausgelegt ist, gewährleistet einen minimalen Energieverlust und ein verbessertes Wärmemanagement, wodurch die Lebensdauer verlängert wird. Die robuste Konstruktion umfasst eine bleifreie Beschichtung, die der RoHS-Richtlinie entspricht und die Umweltverträglichkeit gewährleistet. Mit einer hocheffizienten Strombelastbarkeit von bis zu 75 A wurde dieser IGBT für anspruchsvolle Bedingungen entwickelt und fördert gleichzeitig eine verbesserte Systemeffizienz.

Hochgeschwindigkeitsschaltung verbessert die Leistung
Optimiert für effizientes hartes Schalten
Eingebaute Rapid-Recovery-Diode verbessert die Zuverlässigkeit
Pb-freie Bleibeschichtung erfüllt Umweltstandards
Langlebigkeit bei hohen Sperrschichttemperaturen
Benutzerfreundliches Design ermöglicht einfaches Parallelisieren

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