Infineon IGBT / 200 A ±20V max. , 750 V 937 W, 3-Pin PG-TO247-3-PLUS-N N-Kanal

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RS Best.-Nr.:
285-003
Herst. Teile-Nr.:
IKQB200N75CP2AKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Dauer-Kollektorstrom max.

200 A

Kollektor-Emitter-Spannung

750 V

Gate-Source Spannung max.

±20V

Anzahl an Transistoren

1

Verlustleistung max.

937 W

Konfiguration

Einfach-Kollektor, Einfach-Emitter, Einfach-Gate

Gehäusegröße

PG-TO247-3-PLUS-N

Montage-Typ

THT

Channel-Typ

N

Pinanzahl

3

Der Infineon IGBT ist ein hochleistungsfähiger EDT2 IGBT, der speziell für anspruchsvolle Anwendungen entwickelt wurde. Mit seinem robusten, kurzschlussfesten Design bewältigt er effizient hohe Spannungen von bis zu 750 V und bietet gleichzeitig eine hervorragende thermische Leistung. Dieses Bauteil ist in einem reflow-lötbaren Gehäuse untergebracht und gewährleistet eine einfache Integration in verschiedene Systeme und unterstützt Anwendungen wie CAV-Antriebssteuerungsmodule und allgemeine Antriebe. Dieser IGBT wurde entwickelt, um die Schalteffizienz zu optimieren. Er vereint niedrige Leitungsverluste mit schnellen Schaltfähigkeiten und ist damit eine zuverlässige Lösung für Hochfrequenzanwendungen bis zu 10 kHz.

Kurzschlussfeste Konstruktion für Zuverlässigkeit
Optimiert für harte Schalttopologien für Effizienz
Niedrige Sättigungsspannung minimiert Energieverluste
Vielseitige Verpackungen für das Reflow-Löten erhöhen die Flexibilität
Integrierte Soft-Recovery-Diode reduziert Schaltverluste
Qualifiziert für industrielle Anwendungen gemäß JEDEC-Standards
Umfassendes Produkt-Ökosystem mit verfügbaren PSpice-Modellen

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