Infineon IGBT / 160 A ±20V max. , 650 V 621 W, 4-Pin PG-TO247-4-PLUS-NN5.1 N-Kanal

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
285-022
Herst. Teile-Nr.:
IKY150N65EH7XKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Dauer-Kollektorstrom max.

160 A

Kollektor-Emitter-Spannung

650 V

Gate-Source Spannung max.

±20V

Verlustleistung max.

621 W

Anzahl an Transistoren

1

Gehäusegröße

PG-TO247-4-PLUS-NN5.1

Konfiguration

Einfach-Kollektor, Einfach-Emitter, Einfach-Gate

Montage-Typ

THT

Channel-Typ

N

Pinanzahl

4

Der IGBT von Infineon bietet modernste Trench-Technologie, die für niedrige Sättigungsspannung und reduzierte Schaltverluste optimiert ist. Es ist ideal für anspruchsvolle Anwendungen und bietet robuste Leistung in industriellen Umgebungen. Dank seiner fortschrittlichen Konstruktion kann das Gerät große Stromlasten effizient bewältigen und gleichzeitig eine ausgezeichnete thermische Stabilität beibehalten. Diese Komponente eignet sich besonders für Ladesysteme für Elektrofahrzeuge und industrielle USV-Lösungen und gewährleistet Zuverlässigkeit und Sicherheit in kritischen Anwendungen.

Unterstützt eine maximale Kollektor-Emitter-Spannung von 650 V
Verarbeitet bis zu 150 A Dauerstrom
Verfügt über eine sanfte und schnell erholsame antiparallele Diode
Qualifiziert für industrielle Anwendungen gemäß JEDEC-Standards
Einfache Integration mit gut definierten PSpice-Modellen
Sanftes Schaltverhalten verbessert die Systemeffizienz

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