Infineon IGBT / 150 A ±20V max. , 650 V 621 W, 3-Pin PG-TO247-3-PLUS-N N-Kanal

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
284-991
Herst. Teile-Nr.:
IKQ150N65EH7XKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Dauer-Kollektorstrom max.

150 A

Kollektor-Emitter-Spannung

650 V

Gate-Source Spannung max.

±20V

Anzahl an Transistoren

1

Verlustleistung max.

621 W

Konfiguration

Einfach-Kollektor, Einfach-Emitter, Einfach-Gate

Gehäusegröße

PG-TO247-3-PLUS-N

Montage-Typ

THT

Channel-Typ

N

Pinanzahl

3

Der IGBT von Infineon ist ein Beispiel für Spitzenleistung mit hoher Geschwindigkeit und niedriger Sättigungsspannung, zugeschnitten auf anspruchsvolle Anwendungen in verschiedenen Sektoren. Dieses Produkt nutzt die fortschrittliche Trench-Stop-IGBT7-Technologie und erreicht einen bemerkenswerten Wirkungsgrad bei 650 V. Seine Copacked-Struktur mit einer weichen, schnell erholenden Emitter Controlled 7-Diode gewährleistet außergewöhnliche Zuverlässigkeit und integrierte Schaltkreisleistung. Ideal für industrielle USV-Systeme und Ladestationen für Elektrofahrzeuge. Das Produkt wurde mit Blick auf die Robustheit gegenüber Feuchtigkeit entwickelt und bietet eine verbesserte Haltbarkeit in schwierigen Umgebungen.

Geringe Schaltverluste für mehr Effizienz
Liefert niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Optimiert für hart schaltende Anwendungen
Sorgt für Robustheit und Zuverlässigkeit bei Feuchtigkeit
Bietet eine Reihe von Produkten und PSpice-Modellen
Qualifiziert für industrielle Anwendungen und strenge Normen

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