Infineon IGBT / 160 A ±20V max. , 650 V 498 W, 3-Pin PG-TO247-3-PLUS-N N-Kanal

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RS Best.-Nr.:
284-988
Herst. Teile-Nr.:
IKQ120N65EH7XKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Dauer-Kollektorstrom max.

160 A

Kollektor-Emitter-Spannung

650 V

Gate-Source Spannung max.

±20V

Verlustleistung max.

498 W

Anzahl an Transistoren

1

Konfiguration

Einfach-Kollektor, Einfach-Emitter, Einfach-Gate

Gehäusegröße

PG-TO247-3-PLUS-N

Montage-Typ

THT

Channel-Typ

N

Pinanzahl

3

Der Infineon-IGBT mit fortschrittlichem Leistungshalbleiter revolutioniert mit seinen hohen Geschwindigkeiten und seiner niedrigen Sättigungsspannung die Effizienz in verschiedenen Anwendungen. Er wurde mit der renommierten 650 V TRENCHSTOP IGBT7-Technologie entwickelt und zeichnet sich durch harte Schalttopologien aus, was ihn ideal für industrielle USV-Systeme, EV-Ladelösungen und String-Wechselrichter macht. Dieses robuste Bauteil ist nach strengen Industriestandards qualifiziert und gewährleistet Zuverlässigkeit und Langlebigkeit in anspruchsvollen Umgebungen.

Nutzt die Graben-Technologie für mehr Effizienz
Minimiert Schaltverluste für mehr Leistung
Entwickelt für Zuverlässigkeit bei hoher Luftfeuchtigkeit
Sanftes Schaltverhalten für Präzision
Entwickelt für den vielseitigen Einsatz in der Leistungselektronik
Qualifiziert für industrielle Anwendungen gemäß JEDEC
Unterstützt die Lebensdauer von Geräten mit Wärmemanagement
Bietet Simulationsmöglichkeiten mit PSpice-Modellen

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