Infineon IGBT / 75 A ±20V max. , 1200 V 398 W, 4-Pin PG-TO247-4-PLUS-NN5.1 N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 285-025
- Herst. Teile-Nr.:
- IKY50N120CH7XKSA1
- Marke:
- Infineon
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
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- 285-025
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- IKY50N120CH7XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 75 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 1200 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V | |
| Anzahl an Transistoren | 1 | |
| Verlustleistung max. | 398 W | |
| Konfiguration | Einfach-Kollektor, Einfach-Emitter, Einfach-Gate | |
| Gehäusegröße | PG-TO247-4-PLUS-NN5.1 | |
| Montage-Typ | THT | |
| Channel-Typ | N | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 75 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 1200 V | ||
Gate-Source Spannung max. ±20V | ||
Anzahl an Transistoren 1 | ||
Verlustleistung max. 398 W | ||
Konfiguration Einfach-Kollektor, Einfach-Emitter, Einfach-Gate | ||
Gehäusegröße PG-TO247-4-PLUS-NN5.1 | ||
Montage-Typ THT | ||
Channel-Typ N | ||
Pinanzahl 4 | ||
Der IGBT von Infineon wurde für optimale Leistung in anspruchsvollen Anwendungen entwickelt. Das robuste Design verfügt über fortschrittliche Softkommutierungsfunktionen, die minimale Schaltverluste und einen höheren Wirkungsgrad gewährleisten. Dieses Produkt eignet sich hervorragend für Umgebungen, in denen schnelle Erholungszeiten erforderlich sind, und ist daher ideal für industrielle Anwendungen. Durch die nahtlose Integration der Eigenschaften von Dioden mit niedrigem Qrr-Wert bietet sie ein konsistentes und zuverlässiges Energiemanagement. Seine überragende thermische Leistung und die niedrige Sättigungsspannung bei hohen Temperaturen gewährleisten Zuverlässigkeit für den Langzeiteinsatz. Dieses Gerät eignet sich perfekt für Anwendungen wie USV-Systeme, das Aufladen von Elektrofahrzeugen und String-Wechselrichter, was seine Vielseitigkeit auf dem modernen Markt widerspiegelt.
Klassenbeste Effizienz für hartes Schalten
Schnelle Diode mit niedrigem Emitter erhöht die Leistung
Pb-freie Bleibeschichtung erfüllt RoHS-Normen
Konzipiert für einfache Parallelschaltung
Qualifiziert für industrielle Anwendungen gemäß JEDEC
Optimiert für Wärmemanagement und kompakte Bauweise
Schnelle Diode mit niedrigem Emitter erhöht die Leistung
Pb-freie Bleibeschichtung erfüllt RoHS-Normen
Konzipiert für einfache Parallelschaltung
Qualifiziert für industrielle Anwendungen gemäß JEDEC
Optimiert für Wärmemanagement und kompakte Bauweise
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