STMicroelectronics IGBT / 15 A 3-phasig, 600 V 66 W, 26-Pin SDIP2B-26L Typ X Oberfläche
- RS Best.-Nr.:
- 330-467
- Herst. Teile-Nr.:
- STGIB10CH60TS-XZ
- Marke:
- STMicroelectronics
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 15A | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 600V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 66W | |
| Anzahl an Transistoren | 6 | |
| Konfiguration | 3-phasig | |
| Gehäusegröße | SDIP2B-26L Typ X | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 26 | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 1.95V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 35.3mm | |
| Breite | 29.8 mm | |
| Höhe | 38.5mm | |
| Normen/Zulassungen | UL 1557, UL 1434, File E81734 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 15A | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 600V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 66W | ||
Anzahl an Transistoren 6 | ||
Konfiguration 3-phasig | ||
Gehäusegröße SDIP2B-26L Typ X | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 26 | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 1.95V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 35.3mm | ||
Breite 29.8 mm | ||
Höhe 38.5mm | ||
Normen/Zulassungen UL 1557, UL 1434, File E81734 | ||
Automobilstandard Nein | ||
RoHS Status: Ausgenommen
- Ursprungsland:
- CN
Die STMicroelectronics IPM 15 A, 600 V, 3-phasige IGBT-Wechselrichterbrücke mit 2 Steuer-ICs für die Gate-Ansteuerung und Freilaufdioden. Er verfügt über 3,3 V, 5 V TTL/CMOS-Eingänge mit Hysterese und eine interne Bootstrap-Diode.
Unterspannungsabschaltung von Gate-Treibern
Intelligente Abschaltfunktion
Kurzschlussschutz
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