STMicroelectronics IGBT / 10 A 3-phasig, 600 V 66 W, 26-Pin SDIP2F-26L Typ L Oberfläche

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RS Best.-Nr.:
330-469
Herst. Teile-Nr.:
STGIF7CH60TS-LZ
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

IGBT

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

10A

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

600V

Anzahl an Transistoren

6

Maximale Verlustleistung Pd

66W

Konfiguration

3-phasig

Gehäusegröße

SDIP2F-26L Typ L

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

26

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

1.7V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

3.5mm

Länge

38mm

Normen/Zulassungen

UL 1434, File E81734, CA 4 recognised, UL 1557

Breite

24 mm

Automobilstandard

Nein

RoHS Status: Ausgenommen

Ursprungsland:
CN
Die STMicroelectronics IPM 10 A, 600 V, 3-phasige IGBT-Wechselrichterbrücke mit 2 Steuer-ICs für Gate-Ansteuerung und Freilaufdioden. Er verfügt über 3,3 V, 5 V TTL/CMOS-Eingänge mit Hysterese und eine interne Bootstrap-Diode.

Unterspannungsabschaltung von Gate-Treibern

Intelligente Abschaltfunktion

Kurzschlussschutz

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