6MBI50U4A-120-50 N-Kanal IGBT-Modul, 1200 V / 50 A, M636 28-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 462-837
- Herst. Teile-Nr.:
- 6MBI50U4A-120-50
- Marke:
- Fuji Electric
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
- RS Best.-Nr.:
- 462-837
- Herst. Teile-Nr.:
- 6MBI50U4A-120-50
- Marke:
- Fuji Electric
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Fuji Electric | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 50 A | |
| Kollektor-Emitter- | 1200 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V | |
| Verlustleistung max. | 275 W | |
| Gehäusegröße | M636 | |
| Konfiguration | Dreiphasenbrücke | |
| Montage-Typ | Leiterplattenmontage | |
| Channel-Typ | N | |
| Pinanzahl | 28 | |
| Transistor-Konfiguration | 3-phasig | |
| Abmessungen | 107.5 x 45 x 17mm | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Fuji Electric | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 50 A | ||
Kollektor-Emitter- 1200 V | ||
Gate-Source Spannung max. ±20V | ||
Verlustleistung max. 275 W | ||
Gehäusegröße M636 | ||
Konfiguration Dreiphasenbrücke | ||
Montage-Typ Leiterplattenmontage | ||
Channel-Typ N | ||
Pinanzahl 28 | ||
Transistor-Konfiguration 3-phasig | ||
Abmessungen 107.5 x 45 x 17mm | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||