STMicroelectronics IGBT / 85 A, 1.6 kV 395 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal Durchsteckmontage
- RS Best.-Nr.:
- 468-508
- Herst. Teile-Nr.:
- STGWA30IH160DF2
- Marke:
- STMicroelectronics
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 85A | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 1.6kV | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 395W | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Schaltgeschwindigkeit | 331ns | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | ±20 V | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 2.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 15.9mm | |
| Länge | 20.1mm | |
| Serie | IH2 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 85A | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 1.6kV | ||
Maximale Verlustleistung Pd 395W | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Schaltgeschwindigkeit 331ns | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO ±20 V | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 2.2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 15.9mm | ||
Länge 20.1mm | ||
Serie IH2 | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der IGBT von STMicroelectronics wurde unter Verwendung einer fortschrittlichen proprietären Trench-Gate-Feld-Stopp-Struktur entwickelt, deren Leistung sowohl hinsichtlich der Leitungs- als auch der Schaltverluste für eine weiche Schaltung optimiert ist. Eine Freilaufdiode mit geringem Durchlassspannungsabfall ist inklusive. Das Ergebnis ist ein Produkt, das speziell für die Maximierung des Wirkungsgrads bei allen Resonanz- und Soft-Switching-Anwendungen entwickelt wurde.
Minimierter Schwanzstrom
Enge Parameterverteilung
Niedriger Wärmewiderstand
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