Microchip Diskreter IGBT / 69 A, 1200 V 417 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal Durchsteckmontage

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RS Best.-Nr.:
838-597
Herst. Teile-Nr.:
APT25GP120BSC15
Marke:
Microchip
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Marke

Microchip

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

69A

Produkt Typ

Diskreter IGBT

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

1200V

Maximale Verlustleistung Pd

417W

Anzahl an Transistoren

1

Gehäusegröße

TO-247

Montageart

Durchsteckmontage

Kabelkanaltyp

N-Kanal

Pinanzahl

3

Länge

41.78mm

Höhe

5.31mm

Normen/Zulassungen

JEDC

Breite

16.26mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
PH
Der Punch-Through-IGBT von Microchip integriert einen leistungsstarken 1200 V 25 A Power MOS 7-Transistor mit einer antiparallelen Schottky-Diode aus Siliziumkarbid.

Maximale Kollektor-Emitter-Nennspannung 1200 V

Fortschrittliche Power MOS 7-Durchschlagstechnologie

Integrierte antiparallele SiC-Schottky-Diode

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