Infineon IGBT / 75 A, 600 V 428 W, 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- RS Best.-Nr.:
- 110-7445
- Herst. Teile-Nr.:
- IGW75N60H3FKSA1
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*
9,54 €
(ohne MwSt.)
11,36 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Begrenzter Lagerbestand
- Zusätzlich 1.180 Einheit(en) mit Versand ab 16. März 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 4,77 € | 9,54 € |
| 10 - 18 | 4,15 € | 8,30 € |
| 20 - 48 | 3,87 € | 7,74 € |
| 50 - 98 | 3,625 € | 7,25 € |
| 100 + | 3,385 € | 6,77 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 110-7445
- Herst. Teile-Nr.:
- IGW75N60H3FKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 75A | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 600V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 428W | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | ±20 V | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 2.3V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 40.6mm | |
| Normen/Zulassungen | JEDEC, RoHS | |
| Breite | 15.7 mm | |
| Energie | 6.2mJ | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 75A | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 600V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 428W | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO ±20 V | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 2.3V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 40.6mm | ||
Normen/Zulassungen JEDEC, RoHS | ||
Breite 15.7 mm | ||
Energie 6.2mJ | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineon TrenchStop IGBT-Transistoren, 600 und 650 V
Eine Serie von IGBT-Transistoren von Infineon mit Kollektor-Emitter-Nennspannungen von 600 und 650 V mit TrenchStop™-Technologie. Das Angebot umfasst Geräte mit integrierter hoher Geschwindigkeit, kurze Erholzeit, antiparallel geschalteter Diode.
• Kollektor-Emitter – Spannungsbereich 600 bis 650 V
• Sehr geringer VCEsat
• Niedrige Abschaltverluste
• Kurzer Deaktivierungsstrom
• Geringe elektromagnetische Störungen
• Maximale Verbindungstemperatur 175°C
IGBT, diskrete Bauteile und Module, Infineon
Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.
Verwandte Links
- Infineon IGBT / 75 A ±20V max. 3-Pin TO-247 N-Kanal
- Infineon IGBT / 75 A 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- Infineon IGBT / 50 A ±20V max. 3-Pin To-247-3 N-Kanal
- Infineon Leistungshalbleiter / 75 A 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- Fairchild IGBT / 75 A ±20V max. 3-Pin TO-247 N-Kanal
- onsemi IGBT / 75 A ±20V max. 3-Pin TO-247 N-Kanal
- Infineon IGBT / 80 A ±20V max. 3-Pin PG-TO247-3
- Infineon IGBT / 75 A 20V max. 3-Pin TO-247 N-Kanal