Infineon IGBT / 30 A, 650 V 105 W, 3-Pin TO-220 Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- RS Best.-Nr.:
- 110-7724
- Herst. Teile-Nr.:
- IKP15N65F5XKSA1
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
11,88 €
(ohne MwSt.)
14,135 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 17. August 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 2,376 € | 11,88 € |
| 25 - 45 | 2,256 € | 11,28 € |
| 50 - 120 | 2,162 € | 10,81 € |
| 125 - 245 | 2,018 € | 10,09 € |
| 250 + | 1,90 € | 9,50 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 110-7724
- Herst. Teile-Nr.:
- IKP15N65F5XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 30A | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 650V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 105W | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 2.1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Serie | TrenchStop | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Länge | 10.36mm | |
| Höhe | 4.57mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Energie | 0.17mJ | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 30A | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 650V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 105W | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 2.1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Serie TrenchStop | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Länge 10.36mm | ||
Höhe 4.57mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Energie 0.17mJ | ||
Infineon TrenchStop IGBT-Transistoren, 600 und 650 V
Eine Serie von IGBT-Transistoren von Infineon mit Kollektor-Emitter-Nennspannungen von 600 und 650 V mit TrenchStop™-Technologie. Das Angebot umfasst Geräte mit integrierter hoher Geschwindigkeit, kurze Erholzeit, antiparallel geschalteter Diode.
• Kollektor-Emitter – Spannungsbereich 600 bis 650 V
• Sehr geringer VCEsat
• Niedrige Abschaltverluste
• Kurzer Deaktivierungsstrom
• Geringe elektromagnetische Störungen
• Maximale Verbindungstemperatur 175°C
IGBT, diskrete Bauteile und Module, Infineon
Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.
Verwandte Links
- Infineon IGBT / 30 A ±20V max. 3-Pin TO-220 N-Kanal
- Infineon IGBT / 38 A 20V max. , 650 V 130 W TO-220-3
- Infineon IGBT / 42 A 20V max. , 650 V 125 W TO-220-3
- Infineon IGBT-Transistormodul / 30 A ±20V max., 650 V 105 W PG-TO220-3
- Infineon IGBT / 11 600 V, 3-Pin TO-220 N-Kanal
- STMicroelectronics IGBT / 20 A ±20V max. 3-Pin TO-220 N-Kanal
- Infineon IGBT / 50 A ±20V max. 3-Pin TO-247 N-Kanal
- Infineon IGBT / 74 A ±20V max. 3-Pin TO-247 N-Kanal