Infineon IGBT / 62 A, 650 V 188 W, 3-Pin TO-220 Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- RS Best.-Nr.:
- 226-6105
- Herst. Teile-Nr.:
- IKP39N65ES5XKSA1
- Marke:
- Infineon
Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
- RS Best.-Nr.:
- 226-6105
- Herst. Teile-Nr.:
- IKP39N65ES5XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 62A | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 650V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 188W | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 1.85V | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 30 V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Serie | IKP39N65ES5 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 62A | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 650V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 188W | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 1.85V | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 30 V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Serie IKP39N65ES5 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon IKP39N65ES5 hat die höchste Leistungsdichte in TO-220-Abmessungen und benötigt keine Gate-Klemmkomponente. In diesem weichen Stromabfallverhalten ohne Rückstrom ist es ausgezeichnet für die Parallelschaltung geeignet.
Sehr niedriger VCEsat von 1,45 V bei 25 °C
4-facher Ic-Impulsstrom (100 °C Tc)
Maximale Sperrschichttemperatur TVJ 175 °C.
Verwandte Links
- Infineon IGBT / 62 A 30V max. 3-Pin PG-TO220 N-Kanal
- Infineon IGBT / 34 A 30V max. 3 W, 3-Pin PG-TO220 N-Kanal
- Infineon IGBT / 25 A 30V max. 5 W, 3-Pin PG-TO220 N-Kanal
- Infineon IGBT / 74 A 30V max. 3-Pin PG-TO220 N-Kanal
- Infineon IGBT ±20V max., 650 V PG-TO220-3
- Infineon IGBT-Transistormodul / 30 A ±20V max., 650 V 105 W PG-TO220-3
- Infineon IGBT 35,7 W PG-TO220-3
- Infineon IGBT 120 W PG-TO220-2-1
