- RS Best.-Nr.:
- 144-1201
- Herst. Teile-Nr.:
- IKW30N65ES5XKSA1
- Marke:
- Infineon
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Preis pro Stück (In einer VPE à 10)
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(inkl. MwSt.)
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
---|---|---|
10 - 10 | 3,167 € | 31,67 € |
20 - 40 | 3,009 € | 30,09 € |
50 - 90 | 2,881 € | 28,81 € |
100 - 240 | 2,755 € | 27,55 € |
250 + | 2,565 € | 25,65 € |
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- RS Best.-Nr.:
- 144-1201
- Herst. Teile-Nr.:
- IKW30N65ES5XKSA1
- Marke:
- Infineon
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Infineon TrenchStop IGBT-Transistoren, 600 und 650 V
Eine Serie von IGBT-Transistoren von Infineon mit Kollektor-Emitter-Nennspannungen von 600 und 650 V mit TrenchStop™-Technologie. Das Angebot umfasst Geräte mit integrierter hoher Geschwindigkeit, kurze Erholzeit, antiparallel geschalteter Diode.
Kollektor-Emitter – Spannungsbereich 600 bis 650 V
Sehr geringer VCEsat
Niedrige Abschaltverluste
Kurzer Deaktivierungsstrom
Geringe elektromagnetische Störungen
Maximale Verbindungstemperatur 175°C
Sehr geringer VCEsat
Niedrige Abschaltverluste
Kurzer Deaktivierungsstrom
Geringe elektromagnetische Störungen
Maximale Verbindungstemperatur 175°C
IGBT, diskrete Bauteile und Module, Infineon
Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Dauer-Kollektorstrom max. | 62 A |
Kollektor-Emitter-Spannung | 650 V |
Gate-Source Spannung max. | ±20 V, ±30V |
Anzahl an Transistoren | 1 |
Verlustleistung max. | 188 W |
Gehäusegröße | TO-247 |
Montage-Typ | THT |
Channel-Typ | N |
Pinanzahl | 3 |
Schaltgeschwindigkeit | 30kHz |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Abmessungen | 16.13 x 5.21 x 21.1mm |
Gate-Kapazität | 1800pF |
Betriebstemperatur min. | –40 °C |
Nennleistung | 0.88mJ |
Betriebstemperatur max. | +175 °C |
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