Infineon IGBT-Modul / 150 A ±20V max. Dual, 1200 V 790 W AG-34MM-1 N-Kanal

Dieses IGBT-Modul wurde für Hochfrequenz-Schaltanwendungen entwickelt, wobei zwei Transistoren in Reihe geschaltet werden. Er arbeitet effizient in einem Temperaturbereich von -40°C bis +150°C. Mit einer kompakten Gehäusegröße von 94 x 34 x 30,2 mm ist dieses Modul ideal für die Integration in verschiedene industrielle Systeme.

• Maximaler Kollektor-Dauerstrom von 150 A gewährleistet zuverlässige Leistung
• Kollektor-Emitter-Spannung unterstützt bis zu 1200 V für robusten Einsatz
• Geringe Schaltverluste verbessern die Gesamtenergieeffizienz
• Isolierte Grundplatte verbessert Wärmemanagement und Zuverlässigkeit
• Der Gehäusetyp AG-34MM-1 vereinfacht die Installation in Schalttafelkonfigurationen

• Geeignet für Motorantriebe in Automatisierungssystemen
• Einsatz in unterbrechungsfreien Stromversorgungen für erhöhte Zuverlässigkeit
• Effektiv bei hochfrequenten Schaltvorgängen in verschiedenen Branchen
• Nützlich in leistungselektronischen Umrichtern für einen reibungslosen Betrieb
• Funktioniert gut in Verbindung mit industriellen Automatisierungssystemen

Das Modul weist einen Wärmewiderstand von 0,19 K/W von der Sperrschicht bis zum Gehäuse auf, was für die Aufrechterhaltung der Betriebseffizienz entscheidend ist. Darüber hinaus unterstützt er umfangreiche Leistungszyklen mit einer spezifizierten Anzahl von 300.000 Zyklen bei einer Sperrschichttemperatur von 125 °C und einer Temperaturdifferenz von 50 K.

Er arbeitet effektiv bei einer maximalen Sperrschichttemperatur von 150°C und gewährleistet eine lange Lebensdauer in anspruchsvollen Anwendungen, während er einen niedrigen VCEsat-Wert beibehält, der durch einen positiven Temperaturkoeffizienten für eine stabile Leistung weiter verbessert wird.

Dieses IGBT-Modul zeichnet sich durch eine Gate-Ladung von 1,25μC aus, was schnelle Schaltzeiten ermöglicht und den Hochfrequenzbetrieb erleichtert, der in modernen industriellen Anwendungen unerlässlich ist. Außerdem unterstützt er Gate-Emitter-Spannungen von ±20 V für eine flexible Ansteuerungsaufbereitung.

Ja, seine robusten Spezifikationen und seine Zuverlässigkeit machen ihn zu einer praktikablen Option für die Leistungselektronik in Automobilsystemen, bei denen hohe Effizienz und Zuverlässigkeit von größter Bedeutung sind.

IGBT, diskrete Bauteile und Module, Infineon

Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.