Infineon IGBT-Modul / 150 A, 1200 V 79 W AG-34MM-1 Typ N-Kanal Klemme

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RS Best.-Nr.:
166-0838
Herst. Teile-Nr.:
FF150R12RT4HOSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

IGBT-Modul

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

150A

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

1200V

Maximale Verlustleistung Pd

79W

Gehäusegröße

AG-34MM-1

Montageart

Klemme

Kabelkanaltyp

Typ N

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

2.15V

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

20 V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Höhe

30.2mm

Länge

94mm

Breite

34 mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
MY

Infineon IGBT-Modul, 150 A maximaler Kollektor-Dauerstrom, 1200 V maximale Kollektor-Emitter-Spannung - FF150R12RT4HOSA1


Dieses IGBT-Modul wurde für Hochfrequenz-Schaltanwendungen entwickelt, wobei zwei Transistoren in Reihe geschaltet werden. Er arbeitet effizient in einem Temperaturbereich von -40°C bis +150°C. Mit einer kompakten Gehäusegröße von 94 x 34 x 30,2 mm ist dieses Modul ideal für die Integration in verschiedene industrielle Systeme.

Eigenschaften und Vorteile


• Maximaler Kollektor-Dauerstrom von 150 A gewährleistet zuverlässige Leistung

• Kollektor-Emitter-Spannung unterstützt bis zu 1200 V für robusten Einsatz

• Geringe Schaltverluste verbessern die Gesamtenergieeffizienz

• Isolierte Grundplatte verbessert Wärmemanagement und Zuverlässigkeit

• Der Gehäusetyp AG-34MM-1 vereinfacht die Installation in Schalttafelkonfigurationen

Anwendungen


• Geeignet für Motorantriebe in Automatisierungssystemen

• Einsatz in unterbrechungsfreien Stromversorgungen für erhöhte Zuverlässigkeit

• Effektiv bei hochfrequenten Schaltvorgängen in verschiedenen Branchen

• Nützlich in leistungselektronischen Umrichtern für einen reibungslosen Betrieb

• Funktioniert gut in Verbindung mit industriellen Automatisierungssystemen

Was sind die thermischen Eigenschaften dieses IGBT-Moduls?


Das Modul weist einen Wärmewiderstand von 0,19 K/W von der Sperrschicht bis zum Gehäuse auf, was für die Aufrechterhaltung der Betriebseffizienz entscheidend ist. Darüber hinaus unterstützt er umfangreiche Leistungszyklen mit einer spezifizierten Anzahl von 300.000 Zyklen bei einer Sperrschichttemperatur von 125 °C und einer Temperaturdifferenz von 50 K.

Wie verhält sich dieses IGBT-Modul bei hohen Temperaturen?


Er arbeitet effektiv bei einer maximalen Sperrschichttemperatur von 150°C und gewährleistet eine lange Lebensdauer in anspruchsvollen Anwendungen, während er einen niedrigen VCEsat-Wert beibehält, der durch einen positiven Temperaturkoeffizienten für eine stabile Leistung weiter verbessert wird.

Was macht die Eigenschaften des Torantriebs so vorteilhaft?


Dieses IGBT-Modul zeichnet sich durch eine Gate-Ladung von 1,25μC aus, was schnelle Schaltzeiten ermöglicht und den Hochfrequenzbetrieb erleichtert, der in modernen industriellen Anwendungen unerlässlich ist. Außerdem unterstützt er Gate-Emitter-Spannungen von ±20 V für eine flexible Ansteuerungsaufbereitung.

Ist dieses Produkt für die Leistungselektronik in Kraftfahrzeugen geeignet?


Ja, seine robusten Spezifikationen und seine Zuverlässigkeit machen ihn zu einer praktikablen Option für die Leistungselektronik in Automobilsystemen, bei denen hohe Effizienz und Zuverlässigkeit von größter Bedeutung sind.

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