- RS Best.-Nr.:
- 111-6096
- Herst. Teile-Nr.:
- FZ600R12KS4HOSA1
- Marke:
- Infineon
5 Lieferbar am folgenden Werktag (Mo-Fr) bei Bestelleingang werktags bis 22 Uhr.
30 weitere lieferbar innerhalb 4 Werktag(e) (Mo-Fr).
Im Warenkorb
Preis pro Stück
184,43 €
(ohne MwSt.)
219,47 €
(inkl. MwSt.)
Stück | Pro Stück |
1 - 1 | 184,43 € |
2 - 4 | 175,21 € |
5 + | 167,83 € |
- RS Best.-Nr.:
- 111-6096
- Herst. Teile-Nr.:
- FZ600R12KS4HOSA1
- Marke:
- Infineon
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
IGBT-Module, Infineon
Die IGBT-Module von Infineon bieten einen niedrigen Schaltverlust beim Schalten mit Frequenzen von bis zu 60 kHz.
Die IGBTs umspannen eine Reihe von Versorgungsmodulen wie die ECONOPACK-Gehäuse mit Kollektor-Emitter-Spannung von 1200 V, PrimePACK-IGBT-Halbbrücken-Choppermodule mit NTC bis 1600/1700 V. Die PrimePACK-IGBTs werden in industriellen, kommerziellen, Bau- und Landwirtschaftsfahrzeugen verwendet. Die N-Channel TRENCHSTOP TM- und Fieldstop-IGBT-Module sind für hartes Schalten und weiches Schalten wie in Wechselrichtern, USV und industriellen Antrieben geeignet.
Die IGBTs umspannen eine Reihe von Versorgungsmodulen wie die ECONOPACK-Gehäuse mit Kollektor-Emitter-Spannung von 1200 V, PrimePACK-IGBT-Halbbrücken-Choppermodule mit NTC bis 1600/1700 V. Die PrimePACK-IGBTs werden in industriellen, kommerziellen, Bau- und Landwirtschaftsfahrzeugen verwendet. Die N-Channel TRENCHSTOP TM- und Fieldstop-IGBT-Module sind für hartes Schalten und weiches Schalten wie in Wechselrichtern, USV und industriellen Antrieben geeignet.
Gehäuseausführungen umfassen: 62-mm-Modul, EasyPack, EconoPACKTM2/EconoPACKTM3/EconoPACKTM4
IGBT, diskrete Bauteile und Module, Infineon
Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Dauer-Kollektorstrom max. | 700 A |
Kollektor-Emitter-Spannung | 1200 V |
Gate-Source Spannung max. | ±20V |
Verlustleistung max. | 3,9 kW |
Konfiguration | Single |
Gehäusegröße | AG-62MM-2 |
Montage-Typ | Tafelmontage |
Channel-Typ | N |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Abmessungen | 106.4 x 61.4 x 36.5mm |
Betriebstemperatur min. | –40 °C |
Betriebstemperatur max. | +125 °C |
- RS Best.-Nr.:
- 111-6096
- Herst. Teile-Nr.:
- FZ600R12KS4HOSA1
- Marke:
- Infineon
Verwandte Produkte
- Infineon IGBT-Modul / 580 A ±20V max., 1200 V 2 kW AG-62MM-1 N-Kanal
- Infineon IGBT-Modul / 275 A ±20V max., 1200 V 1400 W AG-62MM-1 N-Kanal
- Infineon IGBT-Modul / 600 A ±20V max. Dual, 1200 V AG-62MM N-Kanal
- Infineon IGBT-Modul / 440 A ±20V max., 1200 V 1450 W AG-62MM-1 N-Kanal
- Infineon IGBT-Modul / 750 A 20V max. Dual, 1200 V 20 mW AG-ECONOD
- Infineon IGBT-Modul / 520 A ±20V max.4 kW AG-62MM-1 N-Kanal
- Infineon IGBT-Modul / 200 A ±20V max., 1200 V 700 W AG-ECONO3-4 N-Kanal
- Infineon IGBT / 600 A 20V max.2 kW AG-62MM N-Kanal