Semikron Danfoss IGBT-Modul / 1.1 kA, 1200 V, 11-Pin SEMiX3p Typ N-Kanal Oberfläche

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RS Best.-Nr.:
122-0393
Herst. Teile-Nr.:
SEMiX603GB12E4p
Marke:
Semikron Danfoss
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Marke

Semikron Danfoss

Produkt Typ

IGBT-Modul

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

1.1kA

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

1200V

Gehäusegröße

SEMiX3p

Montageart

Oberfläche

Kabelkanaltyp

Typ N

Pinanzahl

11

Betriebstemperatur min.

-40°C

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

20 V

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

2.4V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

62.4 mm

Serie

Trench

Normen/Zulassungen

No

Höhe

17mm

Länge

150mm

Automobilstandard

Nein

SEMiX® Dual-IGBT-Module


Dual-IGBT-Module von Semikron in modernen, flachen SEMiX®-Gehäusen, die für Halbbrücken-Leistungssteuerungsanwendung geeignet sind. Die Module verwenden lötfreie Feder- oder Presssitz-Kontakte, sodass ein Gate-Treiber direkt an der Oberseite des Moduls montiert werden kann, was Platz spart und größere Anschlusszuverlässigkeit bietet. Typische Anwendungen umfassen AC-Frequenzumrichter, USV, elektronisches Schweißen und erneuerbare Energiesysteme.

Geeignete Presssitz-Gate-Treibermodule siehe 122-0385 bis 122-0387

• Flaches, lötfreies Montagegehäuse

• IGBTs mit Trenchgate-Technologie

• Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung hat positiven Temperaturkoeffizienten

• Hohe Kurzschlussstrombelastbarkeit

• Presssitz-Stifte als Hilfskontakte

• UL-Zulassung

IGBT-Module, Semikron


Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.

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