Semikron Danfoss IGBT-Modul / 616 A, 1200 V, 7-Pin SEMITRANS Typ N-Kanal Schraubanschlussklemme

Alle IGBT anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stück)*

262,41 €

(ohne MwSt.)

312,27 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • 66 Einheit(en) mit Versand ab 19. März 2026
  • Zusätzlich 12 Einheit(en) mit Versand ab 08. April 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
1 - 1262,41 €
2 - 4237,75 €
5 +227,25 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
125-1114
Herst. Teile-Nr.:
SKM400GB12E4
Marke:
Semikron Danfoss
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Semikron Danfoss

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

616A

Produkt Typ

IGBT-Modul

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

1200V

Anzahl an Transistoren

2

Gehäusegröße

SEMITRANS

Montageart

Schraubanschlussklemme

Kabelkanaltyp

Typ N

Pinanzahl

7

Schaltgeschwindigkeit

12kHz

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

20 V

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

2.05V

Betriebstemperatur min.

175°C

Maximale Betriebstemperatur

-40°C

Normen/Zulassungen

No

Breite

61.4 mm

Länge

106.4mm

Höhe

30.5mm

Serie

SKM400GB12E4

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
SK

Duale IGBT-Module


Eine Serie von SEMITOP® IGBT-Modulen von Semikron einschließlich zwei in Reihe geschalteten IGBT-Geräten (Halbbrücke). Die Module sind in einem großen Spannungs- und Strombereich erhältlich und für eine Vielzahl von Leistungsschaltanwendungen wie AC-Wechselrichter-Motorantriebe und unterbrechungsfreie Stromversorgungen geeignet.

Kompaktes SEMITOP®-Gehäuse

Für Schaltfrequenzen bis zu 12 kHz geeignet

Isolierte Kupfergrundplatte mit direkter Kupferverbindung

IGBT-Module, Semikron


Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.

Verwandte Links