Semikron Danfoss IGBT-Modul / 115 A ±20V max., 1200 V, 7-Pin SEMITRANS2 N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 687-4961
- Herst. Teile-Nr.:
- SKM75GB12T4
- Marke:
- Semikron Danfoss
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- SKM75GB12T4
- Marke:
- Semikron Danfoss
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Semikron Danfoss | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 115 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 1200 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V | |
| Konfiguration | Zweifach-Halbbrücke | |
| Gehäusegröße | SEMITRANS2 | |
| Montage-Typ | Tafelmontage | |
| Channel-Typ | N | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Transistor-Konfiguration | Serie | |
| Abmessungen | 94 x 34 x 30.1mm | |
| Betriebstemperatur min. | -40 °C | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Semikron Danfoss | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 115 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 1200 V | ||
Gate-Source Spannung max. ±20V | ||
Konfiguration Zweifach-Halbbrücke | ||
Gehäusegröße SEMITRANS2 | ||
Montage-Typ Tafelmontage | ||
Channel-Typ N | ||
Pinanzahl 7 | ||
Transistor-Konfiguration Serie | ||
Abmessungen 94 x 34 x 30.1mm | ||
Betriebstemperatur min. -40 °C | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Duale IGBT-Module
Eine Serie von SEMITOP® IGBT-Modulen von Semikron einschließlich zwei in Reihe geschalteten IGBT-Geräten (Halbbrücke). Die Module sind in einem großen Spannungs- und Strombereich erhältlich und für eine Vielzahl von Leistungsschaltanwendungen wie AC-Wechselrichter-Motorantriebe und unterbrechungsfreie Stromversorgungen geeignet.
Kompaktes SEMITOP®-Gehäuse
Für Schaltfrequenzen bis zu 12 kHz geeignet
Isolierte Kupfergrundplatte mit direkter Kupferverbindung
Für Schaltfrequenzen bis zu 12 kHz geeignet
Isolierte Kupfergrundplatte mit direkter Kupferverbindung
IGBT-Module, Semikron
Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.
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