Semikron Danfoss IGBT-Modul / 81 A, 1200 V, 7-Pin SEMITRANS Typ N-Kanal Panel
- RS Best.-Nr.:
- 687-4967
- Distrelec-Artikelnummer:
- 171-01-156
- Herst. Teile-Nr.:
- SKM50GB12T4
- Marke:
- Semikron Danfoss
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- SKM50GB12T4
- Marke:
- Semikron Danfoss
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Semikron Danfoss | |
| Produkt Typ | IGBT-Modul | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 81A | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 1200V | |
| Anzahl an Transistoren | 2 | |
| Gehäusegröße | SEMITRANS | |
| Montageart | Panel | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Schaltgeschwindigkeit | 20kHz | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 2.1V | |
| Betriebstemperatur min. | 175°C | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | -40°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 30.1mm | |
| Serie | SKM50GB12T4 | |
| Länge | 94mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Semikron Danfoss | ||
Produkt Typ IGBT-Modul | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 81A | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 1200V | ||
Anzahl an Transistoren 2 | ||
Gehäusegröße SEMITRANS | ||
Montageart Panel | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Pinanzahl 7 | ||
Schaltgeschwindigkeit 20kHz | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 2.1V | ||
Betriebstemperatur min. 175°C | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur -40°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 30.1mm | ||
Serie SKM50GB12T4 | ||
Länge 94mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Duale IGBT-Module
Eine Serie von SEMITOP® IGBT-Modulen von Semikron einschließlich zwei in Reihe geschalteten IGBT-Geräten (Halbbrücke). Die Module sind in einem großen Spannungs- und Strombereich erhältlich und für eine Vielzahl von Leistungsschaltanwendungen wie AC-Wechselrichter-Motorantriebe und unterbrechungsfreie Stromversorgungen geeignet.
Kompaktes SEMITOP®-Gehäuse
Für Schaltfrequenzen bis zu 12 kHz geeignet
Isolierte Kupfergrundplatte mit direkter Kupferverbindung
IGBT-Module, Semikron
Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.
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