Semikron Danfoss IGBT-Modul / 100 A Zweifach-Halbbrücke, 1200 V, 7-Pin SEMITRANS Typ N-Kanal Panel

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RS Best.-Nr.:
468-2410
Herst. Teile-Nr.:
SKM100GB125DN
Marke:
Semikron Danfoss
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Marke

Semikron Danfoss

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

100A

Produkt Typ

IGBT-Modul

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

1200V

Anzahl an Transistoren

2

Konfiguration

Zweifach-Halbbrücke

Gehäusegröße

SEMITRANS

Montageart

Panel

Kabelkanaltyp

Typ N

Pinanzahl

7

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

20 V

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

3.85V

Betriebstemperatur min.

150°C

Maximale Betriebstemperatur

-40°C

Länge

94.5mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

30.5mm

Breite

34.5 mm

Automobilstandard

Nein

Duale IGBT-Module


Eine Serie von SEMITOP® IGBT-Modulen von Semikron einschließlich zwei in Reihe geschalteten IGBT-Geräten (Halbbrücke). Die Module sind in einem großen Spannungs- und Strombereich erhältlich und für eine Vielzahl von Leistungsschaltanwendungen wie AC-Wechselrichter-Motorantriebe und unterbrechungsfreie Stromversorgungen geeignet.

Kompaktes SEMITOP®-Gehäuse

Für Schaltfrequenzen bis zu 12 kHz geeignet

Isolierte Kupfergrundplatte mit direkter Kupferverbindung

IGBT-Module, Semikron


Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.

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