Semikron Danfoss IGBT-Modul / 422 A, 0.9 V, 7-Pin SEMITRANS 3 GB Typ N-Kanal Oberfläche
- RS Best.-Nr.:
- 210-4949
- Herst. Teile-Nr.:
- SKM300GB12T4
- Marke:
- Semikron Danfoss
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Semikron Danfoss | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 422A | |
| Produkt Typ | IGBT-Modul | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 0.9V | |
| Anzahl an Transistoren | 2 | |
| Gehäusegröße | SEMITRANS 3 GB | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Schaltgeschwindigkeit | 20kHz | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 2.1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Serie | SKM300GB12T4 | |
| Normen/Zulassungen | UL, File no. E63532 | |
| Höhe | 30.5mm | |
| Breite | 61.4 mm | |
| Länge | 106.4mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Semikron Danfoss | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 422A | ||
Produkt Typ IGBT-Modul | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 0.9V | ||
Anzahl an Transistoren 2 | ||
Gehäusegröße SEMITRANS 3 GB | ||
Montageart Oberfläche | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Pinanzahl 7 | ||
Schaltgeschwindigkeit 20kHz | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 2.1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Serie SKM300GB12T4 | ||
Normen/Zulassungen UL, File no. E63532 | ||
Höhe 30.5mm | ||
Breite 61.4 mm | ||
Länge 106.4mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Das SEMIKRON semitrans 3 Fast IGBT 4-Modul gehört zur IGBT4-Generation, die eine bevorzugte Wahl für Anwendungen wie elektronische Schweißgeräte bei Schaltfrequenzen von bis zu 20 kHz, AC-Wechselrichterantriebe und USV sein kann. Der Chipsatz bietet eine isolierte Kupfergrundplatte mit DBC-Technologie (Direct Bonded Copper) und in das Modul integrierte Soft-Switching-CAL-Diode der 4. Generation.
Integrierter Gate-Widerstand
Verbesserte Leistungswechselfunktion und weiches Schalten
IGBTs der Serie zwei
Betriebstemperatur = -40 bis 150 °C.
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