onsemi IGBT / 100 A ±20V max., 1200 V 349 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 123-8830
- Herst. Teile-Nr.:
- NGTB25N120FL3WG
- Marke:
- onsemi
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Produktdetails
IGBT, diskret, ON Semiconductor
Bipolartransistoren mit isolierter Gate-Elektrode (Insulated-Gate Bipolar Transistors, IGBTs) für den Motorantrieb und andere Starkstrom-Schaltanwendungen.
IGBT, diskret, ON Semiconductor
Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Dauer-Kollektorstrom max. | 100 A |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 1200 V |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V |
| Verlustleistung max. | 349 W |
| Gehäusegröße | TO-247 |
| Montage-Typ | THT |
| Channel-Typ | N |
| Pinanzahl | 3 |
| Schaltgeschwindigkeit | 1MHz |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Abmessungen | 16.25 x 5.3 x 21.4mm |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C |
| Gate-Kapazität | 3085pF |
- RS Best.-Nr.:
- 123-8830
- Herst. Teile-Nr.:
- NGTB25N120FL3WG
- Marke:
- onsemi
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