onsemi IGBT / 80 A, 600 V 115 W, 3-Pin TO-3PF Typ N-Kanal Durchsteckmontage

Alle IGBT anzeigen

Zwischensumme (1 Stange mit 30 Stück)*

93,45 €

(ohne MwSt.)

111,21 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Die Versandkosten für Bestellungen unter 100,00 € (ohne MwSt.) betragen 8,95 €.
Auf Lager
  • 180 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Stange*
30 +3,115 €93,45 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
124-1396
Herst. Teile-Nr.:
FGAF40N60SMD
Marke:
onsemi
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

onsemi

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

80A

Produkt Typ

IGBT

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

600V

Maximale Verlustleistung Pd

115W

Gehäusegröße

TO-3PF

Montageart

Durchsteckmontage

Kabelkanaltyp

Typ N

Pinanzahl

3

Schaltgeschwindigkeit

1MHz

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

20 V

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

1.9V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Serie

Field Stop

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Diskrete IGBTs, Fairchild Semiconductor


IGBT diskret und Module, Fairchild Semiconductor


Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.

Verwandte Links