onsemi IGBT / 80 A ±20V max., 600 V 115 W, 3-Pin TO-3PF N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 124-1396
- Herst. Teile-Nr.:
- FGAF40N60SMD
- Marke:
- onsemi
Zwischensumme (1 Stange mit 30 Stück)*
93,45 €
(ohne MwSt.)
111,21 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- Zusätzlich 180 Einheit(en) mit Versand ab 29. Dezember 2025
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 30 + | 3,115 € | 93,45 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 124-1396
- Herst. Teile-Nr.:
- FGAF40N60SMD
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 80 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 600 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V | |
| Verlustleistung max. | 115 W | |
| Gehäusegröße | TO-3PF | |
| Montage-Typ | THT | |
| Channel-Typ | N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Schaltgeschwindigkeit | 1MHz | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Abmessungen | 15.7 x 3.2 x 26.7mm | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 80 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 600 V | ||
Gate-Source Spannung max. ±20V | ||
Verlustleistung max. 115 W | ||
Gehäusegröße TO-3PF | ||
Montage-Typ THT | ||
Channel-Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Schaltgeschwindigkeit 1MHz | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Abmessungen 15.7 x 3.2 x 26.7mm | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Diskrete IGBTs, Fairchild Semiconductor
IGBT diskret und Module, Fairchild Semiconductor
Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.
Verwandte Links
- onsemi IGBT / 80 A ±20V max. 3-Pin TO-3PF N-Kanal
- onsemi IGBT / 80 A ±20V max. 3-Pin TO-3PF N-Kanal
- onsemi IGBT / 40 A ±20V max. 3-Pin TO-3PF N-Kanal
- STMicroelectronics IGBT / 60 A ±20V max. 3-Pin TO-3PF
- onsemi IGBT / 80 A ±20V max. 3-Pin TO-247 N-Kanal
- onsemi IGBT / 80 A ±20V max. 3-Pin TO-247 N-Kanal
- onsemi IGBT / 80 A ±20V max. 3-Pin TO-247AB N-Kanal
- onsemi IGBT / 120 A ±20V max. 3-Pin TO-247AB N-Kanal