onsemi IGBT / 80 A, 600 V 349 W, 3-Pin TO-247AB N-Kanal Durchsteckmontage
- RS Best.-Nr.:
- 739-4942
- Herst. Teile-Nr.:
- FGH40N60SMDF
- Marke:
- onsemi
Nicht verfügbar
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- RS Best.-Nr.:
- 739-4942
- Herst. Teile-Nr.:
- FGH40N60SMDF
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom (Ic) | 80 A | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo) | 600 V | |
| Maximale Verlustleistung (Pd) | 349 W | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Gehäusegröße | TO-247AB | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (Vce(SAT)) | 2.5 V | |
| Gate-Emitter-Spannung max. (VGEO) | ±20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175 °C | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Serie | Field Stop | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Schaltgeschwindigkeit | 12 ns | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom (Ic) 80 A | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo) 600 V | ||
Maximale Verlustleistung (Pd) 349 W | ||
Pinanzahl 3 | ||
Gehäusegröße TO-247AB | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Automobilstandard Nein | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (Vce(SAT)) 2.5 V | ||
Gate-Emitter-Spannung max. (VGEO) ±20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175 °C | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Serie Field Stop | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Schaltgeschwindigkeit 12 ns | ||
Discrete IGBTs, Fairchild Semiconductor
IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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