IXYS IGBT / 570 A, 650 V 880 W, 3-Pin TO-264 Typ N-Kanal Durchsteckmontage

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RS Best.-Nr.:
125-8051
Herst. Teile-Nr.:
IXXK110N65B4H1
Marke:
IXYS
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Marke

IXYS

Produkt Typ

IGBT

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

570A

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

650V

Maximale Verlustleistung Pd

880W

Gehäusegröße

TO-264

Montageart

Durchsteckmontage

Kabelkanaltyp

Typ N

Pinanzahl

3

Schaltgeschwindigkeit

30kHz

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

2.1V

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Serie

Trench

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Energie

3mJ

IGBTs, diskret, IXYS


IGBTs, diskret, und IGBT-Module, IXYS


Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.

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