- RS Best.-Nr.:
- 125-8049
- Herst. Teile-Nr.:
- IXXH80N65B4H1
- Marke:
- IXYS
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- Ursprungsland:
- PH
Produktdetails
IGBTs, diskret, IXYS
IGBTs, diskret, und IGBT-Module, IXYS
Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Dauer-Kollektorstrom max. | 430 A |
Kollektor-Emitter-Spannung | 650 V |
Gate-Source Spannung max. | ±20V |
Verlustleistung max. | 625 W |
Anzahl an Transistoren | 1 |
Gehäusegröße | TO-247AD |
Montage-Typ | THT |
Channel-Typ | N |
Pinanzahl | 3 |
Schaltgeschwindigkeit | 5 → 30kHz |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Abmessungen | 16.1 x 5.2 x 21.3mm |
Nennleistung | 5.2mJ |
Betriebstemperatur min. | –55 °C |
Betriebstemperatur max. | +175 °C |
- RS Best.-Nr.:
- 125-8049
- Herst. Teile-Nr.:
- IXXH80N65B4H1
- Marke:
- IXYS
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