- RS Best.-Nr.:
- 145-9297
- Herst. Teile-Nr.:
- IRG4BC10UDPBF
- Marke:
- Infineon
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- Ursprungsland:
- MX
Produktdetails
Einfach-IGBT bis 20 A, Infineon
Optimierte IGBT für Anwendungen mittlerer Frequenzen mit schnellem Ansprechen bieten dem Benutzer die höchste verfügbare Effizienz. Diese Geräte verwenden FRED-Dioden, die für die beste Leistung mit IGBTs optimiert wurden
IGBT-Transistoren, International Rectifier
International Rectifier bietet ein umfassendes IGBT (Insulated-Gate Bipolar Transistor, Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode)-Portfolio von 300 V bis 1200 V auf der Basis verschiedener Technologien, die die Schalt- und Leitungsverluste verringern und so die Effizienz steigern, thermische Probleme beseitigen und die Leistungsdichte verbessern. Das Unternehmen bietet außerdem eine breite Auswahl an IGBT-Matrizen, die eigens für Mittel- bis Hochleistungsmodule entwickelt wurden. Für Module, die ein Höchstmaß an Zuverlässigkeit verlangen, können Matrizen mit lötbarem Metall an der Vorderseite (SFM, Solderable Front Metal) verwendet werden, um auf Bonddrähte zu verzichten und doppelseitige Kühlung für verbesserte Wärmeleistung, Zuverlässigkeit und Effizienz zu ermöglichen.
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Dauer-Kollektorstrom max. | 8,5 A |
Kollektor-Emitter-Spannung | 600 V |
Gate-Source Spannung max. | ±20V |
Verlustleistung max. | 38 W |
Gehäusegröße | TO-220AB |
Montage-Typ | THT |
Channel-Typ | N |
Pinanzahl | 3 |
Schaltgeschwindigkeit | 80kHz |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Abmessungen | 10.54 x 4.69 x 15.24mm |
Betriebstemperatur min. | –55 °C |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
- RS Best.-Nr.:
- 145-9297
- Herst. Teile-Nr.:
- IRG4BC10UDPBF
- Marke:
- Infineon
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