- RS Best.-Nr.:
- 162-3285
- Herst. Teile-Nr.:
- IKQ75N120CT2XKSA1
- Marke:
- Infineon
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- 162-3285
- Herst. Teile-Nr.:
- IKQ75N120CT2XKSA1
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- Infineon
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Infineon reagiert auf die Marktanforderung, immer größere Mengen Silizium in kleineren, platzsparenden Gehäusen unterzubringen, und stellt das neue Gehäuse TO-247PLUS für 1200-V-IGBT vor. Höhere Strombelastbarkeit, verbessertes thermisches Verhalten. Das TO-247PLUS hat die gleichen Außenabmessungen wie der Industriestandard TO-247, aber aufgrund des fehlenden Schraublochs können bis zu 75 A bei 1200 V mit voller 75-A-Diode verpackt werden.
Hohe Leistungsdichte – bis zu 75-A-1200-V-IGBT mit 75-A-Diode in TO-247-Abmessung20 % niedrigerer R th(jh) im Vergleich zu TO-247 3-PinErweiterte Kollektor-Emitter-Pin-Kriechstrecke von 4,25 mmErweiterte Clip-Kriechstrecke durch vollständig vergossene GehäusevorderseiteHöhere Leistungsdichte des Systems – Erhöhung I c bei Beibehaltung der gleichen Wärmeleistung des SystemsNiedrigerer Wärmewiderstand R th(jh) und um ∼15 % verbesserte Wärmeableitungsfähigkeit des TO-247PLUS im Vergleich zu TO-247Höhere Zuverlässigkeit, längere Lebensdauer des Gerätes
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Dauer-Kollektorstrom max. | 150 A |
Kollektor-Emitter-Spannung | 1200 V |
Gate-Source Spannung max. | ±20V |
Verlustleistung max. | 938 W |
Anzahl an Transistoren | 1 |
Gehäusegröße | TO-247 |
Montage-Typ | THT |
Channel-Typ | P |
Pinanzahl | 3 |
Schaltgeschwindigkeit | 20kHz |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Abmessungen | 15.9 x 5.1 x 21.1mm |
Nennleistung | 10.8mJ |
Gate-Kapazität | 4856pF |
Betriebstemperatur min. | –40 °C |
Betriebstemperatur max. | +175 °C |
- RS Best.-Nr.:
- 162-3285
- Herst. Teile-Nr.:
- IKQ75N120CT2XKSA1
- Marke:
- Infineon
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