Infineon IGBT / 150 A 25V max. , 1200 V 880 W, 3-Pin PG-TO247 N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 226-6111
- Herst. Teile-Nr.:
- IKQ75N120CS6XKSA1
- Marke:
- Infineon
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- IKQ75N120CS6XKSA1
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Der Infineon 5 A IGBT mit antiparalleler Diode ist eine sehr weiche, schnell rückgewinnende antiparallele Diode und hat eine hohe Robustheit, temperaturstabiles Verhalten. Er verwendete eine niedrige Gate-Ladung.
Geringe elektromagnetische Störungen
QG mit niedriger Gatterladung
Niedrige Sättigungsspannung bei 1,85 V in Kombination mit niedrigen Schaltverlusten
QG mit niedriger Gatterladung
Niedrige Sättigungsspannung bei 1,85 V in Kombination mit niedrigen Schaltverlusten
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Dauer-Kollektorstrom max. | 150 A |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 1200 V |
| Gate-Source Spannung max. | 25V |
| Verlustleistung max. | 880 W |
| Anzahl an Transistoren | 1 |
| Gehäusegröße | PG-TO247 |
| Konfiguration | Single |
| Channel-Typ | N |
| Pinanzahl | 3 |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
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