Infineon IGBT / 150 A 25V max. , 1200 V 880 W, 3-Pin PG-TO247 N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 226-6111
- Herst. Teile-Nr.:
- IKQ75N120CS6XKSA1
- Marke:
- Infineon
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- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 150 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 1200 V | |
| Gate-Source Spannung max. | 25V | |
| Anzahl an Transistoren | 1 | |
| Verlustleistung max. | 880 W | |
| Konfiguration | Single | |
| Gehäusegröße | PG-TO247 | |
| Channel-Typ | N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 150 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 1200 V | ||
Gate-Source Spannung max. 25V | ||
Anzahl an Transistoren 1 | ||
Verlustleistung max. 880 W | ||
Konfiguration Single | ||
Gehäusegröße PG-TO247 | ||
Channel-Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Der Infineon 5 A IGBT mit antiparalleler Diode ist eine sehr weiche, schnell rückgewinnende antiparallele Diode und hat eine hohe Robustheit, temperaturstabiles Verhalten. Er verwendete eine niedrige Gate-Ladung.
Geringe elektromagnetische Störungen
QG mit niedriger Gatterladung
Niedrige Sättigungsspannung bei 1,85 V in Kombination mit niedrigen Schaltverlusten
QG mit niedriger Gatterladung
Niedrige Sättigungsspannung bei 1,85 V in Kombination mit niedrigen Schaltverlusten
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