Infineon IGBT-Einzel-Transistor-IC / 30 A, 1200 V 156 W, 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- RS Best.-Nr.:
- 226-6075
- Herst. Teile-Nr.:
- IHW15N120E1XKSA1
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stange mit 30 Stück)*
51,48 €
(ohne MwSt.)
61,26 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Nur noch Restbestände
- Letzte 120 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | 1,716 € | 51,48 € |
| 60 - 120 | 1,63 € | 48,90 € |
| 150 - 270 | 1,562 € | 46,86 € |
| 300 - 570 | 1,493 € | 44,79 € |
| 600 + | 1,39 € | 41,70 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 226-6075
- Herst. Teile-Nr.:
- IHW15N120E1XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 30A | |
| Produkt Typ | IGBT-Einzel-Transistor-IC | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 1200V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 156W | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 25 V | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 1.5V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 5.21mm | |
| Normen/Zulassungen | JEDEC for target applications | |
| Serie | Resonant Soft-Switching | |
| Länge | 42mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 30A | ||
Produkt Typ IGBT-Einzel-Transistor-IC | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 1200V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 156W | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 25 V | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 1.5V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 5.21mm | ||
Normen/Zulassungen JEDEC for target applications | ||
Serie Resonant Soft-Switching | ||
Länge 42mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Infineon IHW15N120E1 Power Vollmonolithische Gehäusediode mit niedriger Durchlassspannung, die nur für weiche Kommutierung ausgelegt ist und über eine hohe Robustheit und ein temperaturstabiles Verhalten mit niedrigem VCEsat verfügt.
Sehr enge Parameter Verteilung
Geringe elektromagnetische Störungen
Verwandte Links
- Infineon IGBT-Einzel-Transistor-IC / 30 A 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- Infineon IGBT-Einzel-Transistor-IC / 20 A 3-Pin PG-TO-247
- Infineon IGBT-Einzel-Transistor-IC / 30 A 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- Infineon IGBT-Einzel-Transistor-IC / 60 A 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- Infineon IGBT-Einzel-Transistor-IC / 80 A 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- Infineon IGBT-Einzel-Transistor-IC / 150 A 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- Infineon IGBT-Einzel-Transistor-IC / 80 A 3-Pin TO-247 Durchsteckmontage
- Infineon IGBT-Einzel-Transistor-IC / 75 A 3-Pin PG-TO-247