Infineon IGBT / 80 A ±20 V, ±30 V max., 650 V 270 W, 3-Pin PG-TO247-3
- RS Best.-Nr.:
- 215-6611
- Herst. Teile-Nr.:
- AIGW50N65F5XKSA1
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*
6,49 €
(ohne MwSt.)
7,724 €
(inkl. MwSt.)
Bestandsabfrage aktuell nicht möglich
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 3,245 € | 6,49 € |
| 10 - 18 | 3,08 € | 6,16 € |
| 20 - 48 | 2,825 € | 5,65 € |
| 50 - 98 | 2,435 € | 4,87 € |
| 100 + | 1,98 € | 3,96 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 215-6611
- Herst. Teile-Nr.:
- AIGW50N65F5XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 80 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 650 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20 V, ±30 V | |
| Verlustleistung max. | 270 W | |
| Gehäusegröße | PG-TO247-3 | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 80 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 650 V | ||
Gate-Source Spannung max. ±20 V, ±30 V | ||
Verlustleistung max. 270 W | ||
Gehäusegröße PG-TO247-3 | ||
Pinanzahl 3 | ||
Der Infineon 3-polige Hochgeschwindigkeits-Transistor mit isoliertem Gate-Bipolar.
Hoher Wirkungsgrad
Niedrige Schaltverluste
Erhöhte Zuverlässigkeit
Geringe elektromagnetische Störungen
Niedrige Schaltverluste
Erhöhte Zuverlässigkeit
Geringe elektromagnetische Störungen
Verwandte Links
- Infineon IGBT / 80 A ±20 V 650 V 270 W, 3-Pin PG-TO247-3
- Infineon IGBT ±20V max., 650 V PG-TO247-3
- Infineon IGBT ±20V max., 650 V 230 W PG-TO247-3
- Infineon IGBT ±20V max. 3-Pin PG-TO247-3
- Infineon IGBT / 80 A ±20.0V max. 3-Pin PG-TO247-3
- Infineon IGBT / 80 A ±20V max. 3-Pin PG-TO247-3
- Infineon IGBT-Transistormodul / 80 A ±20V max., 650 V 305 W PG-TO247-3
- Infineon IGBT / 79 A ±20V max., 650 V 230 W PG-TO247-3