Infineon IGBT-Einzel-Transistor-IC / 80 A, 650 V 270 W, 3-Pin TO-247 Durchsteckmontage
- RS Best.-Nr.:
- 215-6610
- Herst. Teile-Nr.:
- AIGW50N65F5XKSA1
- Marke:
- Infineon
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- AIGW50N65F5XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | IGBT-Einzel-Transistor-IC | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 80A | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 650V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 270W | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | ±30 V | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 1.66V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | AEC-Q101 | |
| Serie | High Speed Fifth Generation | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ IGBT-Einzel-Transistor-IC | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 80A | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 650V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 270W | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO ±30 V | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 1.66V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen AEC-Q101 | ||
Serie High Speed Fifth Generation | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der Infineon 3-polige Hochgeschwindigkeits-Transistor mit isoliertem Gate-Bipolar.
Hoher Wirkungsgrad
Niedrige Schaltverluste
Erhöhte Zuverlässigkeit
Geringe elektromagnetische Störungen
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