Teile-Nr.

Infineon IGBT / 74 A ±20 V, ±30 V max., 650 V 250 W, 3-Pin PG-TO247-3

RS Best.-Nr.:: 215-6609
Herst. Teile-Nr.:: AIGW40N65H5XKSA1
Marke:: Infineon

Infineon IGBT / 74 A ±20 V, ±30 V max., 650 V 250 W, 3-Pin PG-TO247-3

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RS Best.-Nr.:: 215-6609
Herst. Teile-Nr.:: AIGW40N65H5XKSA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Dauer-Kollektorstrom max.	74 A
	Kollektor-Emitter-Spannung	650 V
	Gate-Source Spannung max.	±20 V, ±30 V
	Verlustleistung max.	250 W
	Gehäusegröße	PG-TO247-3
	Pinanzahl	3

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	Marke Infineon
	Dauer-Kollektorstrom max. 74 A
	Kollektor-Emitter-Spannung 650 V
	Gate-Source Spannung max. ±20 V, ±30 V
	Verlustleistung max. 250 W
	Gehäusegröße PG-TO247-3
	Pinanzahl 3

Datasheet-AIGW40N65H5XKSA1

Der bipolare Transistor mit isoliertem Gate und hoher Geschwindigkeit der H5-Technologie von Infineon bietet einen erstklassigen Wirkungsgrad in harten Schalt- und Resonanztopologien.

Hoher Wirkungsgrad
Niedrige Schaltverluste
Erhöhte Zuverlässigkeit
Geringe elektromagnetische Störungen

Infineon IGBT / 74 A ±20 V, ±30 V max., 650 V 250 W, 3-Pin PG-TO247-3

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